Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "krzem." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
    A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon
    Autorzy:
    Sarnecki, J.
    Brzozowski, A.
    Lipiński, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192437.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warstwa epitaksjalna
    krzem porowaty
    CVD
    folia krzemowa
    epitaxial layer
    porous silicon
    silicon foil
    Opis:
    Określono warunki i opracowano metodę otrzymywania folii krzemowych o grubości do ~ 100 μm i wymiarach 50 x 50 mm. Metoda ta polega na odrywaniu warstw epitaksjalnych osadzanych na porowatej powierzchni płytki krzemowej typu p+. Opracowano oryginalną metodę odrywania warstwy epitaksjalnej łączącą działanie obniżonego ciśnienia i kąpieli w gorącej wodzie.
    A method of obtaining silicon foil with the thickness of up to 100 μm and dimensions 50 x 50 mm was worked out and experimental conditions were determined. This technique consists in the separation of epitaxial layers deposited on the porous surface of the p+ silicon wafer. Such an original method of epitaxial layer separation, combining the effect of low pressure and a bath in hot water, was developed.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 1, 1; 24-31
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
    Silicon epitaxial layers deposited on porous silicon for photovoltaic applications
    Autorzy:
    Lipiński, D.
    Sarnecki, J.
    Brzozowski, A.
    Mazur, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192080.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warstwa epitaksjalna
    CVD
    krzem porowaty
    ogniwo słoneczne
    epitaxial layer
    porous silicon
    solar cell
    Opis:
    Ustalono warunki wytwarzania warstw o odpowiedniej porowatości zapewniającej osadzanie w procesie epitaksji z fazy gazowej warstw krzemowych o grubości powyżej 50 μm. W zależności od rezystywności płytek krzemowych typu p+ o orientacji <111> oraz <100> określono związek między gęstością prądu trawienia elektrochemicznego, a porowatością wytworzonych warstw porowatych. Otrzymano warstwy porowate z porowatością w zakresie 5 % - 70 %. Ustalono parametry procesu epitaksji i osadzono krzemowe warstwy epitaksjalne o wysokiej perfekcji strukturalnej i zakładanych parametrach elektrycznych.
    The conditions for producing layers with proper porosity that allows epitaxial growth of Si layers with the thickness of about 50 μm have been established. The relationship between the layer porosity, current density and substrate resistivity has been determined. The layers with porosity in the range between 5 % and 70 % have been obtained. The parameters of the CVD process have been established. Epitaxial silicon layers of high structural perfection and required electrical parameters have been obtained, which has been confirmed by the XRD and SR measurements as well as SEM observations.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 28-37
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności
    Deep defect centers in ultra-high-resistivity FZ silicon
    Autorzy:
    Kamiński, P.
    Kozłowski, R.
    Krupka, J.
    Kozubal, M.
    Wodzyński, M.
    Żelazko, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192092.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    głębokie centra defektowe
    HRPITS
    krzem o bardzo wysokiej rezystywności
    deep defect centers
    ultra-high-resistivity silicon
    Opis:
    W artykule przedstawiono unikatowe wyniki badań rozkładu rezystywności oraz rozkładu właściwości i koncentracji centrów defektowych na płytce krzemowej o promieniu R = 75 mm, pochodzącej z monokryształu o bardzo wysokiej czystości otrzymanego metodą FZ. Do określenia właściwości i koncentracji centrów defektowych zastosowano metodę niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej o wysokiej rozdzielczości (HRPITS). Do wyznaczania stałych czasowych składowych wykładniczych relaksacyjnych przebiegów fotoprądu, zmierzonych w zakresie temperatur 250 – 320 K wykorzystano procedurę numeryczną opartą na odwrotnym przekształceniu Laplace’a. W obszarze środkowym płytki o rezystywności ~ 6,0×104 Ωcm, wykryto trzy rodzaje pułapek charakteryzujących się energią aktywacji 420 meV, 460 meV i 480 meV. W obszarze brzegowym płytki, którego rezystywność wynosiła ~ 3,0×104 Ωcm, oprócz pułapek występujących w obszarze środkowym wykryto pułapki o energii aktywacji 545 meV, których koncentracja wynosiła ~ 4,0×109 cm-3. Pułapki o energii aktywacji 420 meV i 545 meV przypisano odpowiednio lukom podwójnym (V2 -/0) i agregatom złożonym z pięciu luk (V5 -/0). Pułapki o energii aktywacji 460 meV są prawdopodobnie związane z lukami potrójnymi (V3 -/0) lub atomami Ni, zaś pułapki o energii aktywacji 480 meV mogą być przypisane zarówno agregatom złożonym z czterech luk (V4 -/0), jak i atomom Fe w położeniach międzywęzłowych.
    The paper presents the unique results of the resistivity distribution and the distribution of the properties and concentrations of defect centers on a silicon wafer with a radius of R = 75 mm originating from a high-purity FZ single crystal. The electronic properties and concentrations of the defect centers have been studied by high resolution photoinduced transient spectroscopy (HRPITS). To determine the time constants of the exponential components in the photocurrent relaxation waveforms measured in the temperature range of 250 - 320 K we have used an advanced numerical procedure based on the inverse Laplace transformation. In the wafer central region, with the resistivity of ~ 6,0×104 Ωcm, three traps with the activation energies of 420 meV, 460 meV and 480 meV have been found. In the near edge-region of the wafer, with the resistivity of ~ 3.0 × 104 Ωcm, apart from the traps present in the central region, a trap with the activation energy of 545 meV has been detected and the concentration of this trap is ~ 4,0×109 cm-3. The traps with the activation energies of 420 meV and 545 meV are assigned to a divacancy (V2 -/0) and a pentavacancy (V5 -/0), respectively. The trap with the activation energy of 460 meV is likely to be associated with a trivacancy (V3 -/0) or a Ni atom, and the trap with the activation energy of 480 meV can be tentatively assigned to a tetravacancy or an interstitial Fe atom.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 4, 4; 16-24
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
    High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method
    Autorzy:
    Brzozowski, A.
    Sarnecki, J.
    Lipiński, D.
    Wodzińska, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192377.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    rezystywność
    oporność rozpływu
    krzem monokrystaliczny
    warstwa epitaksjalna
    resistivity
    spreading resistance
    monocrystalline silicon
    epitaxial layer
    Opis:
    Wykonano wzorce do kalibracji układu umożliwiającego wyznaczenie profilu rezystywności w krzemowych warstwach epitaksjalnych typu n i p o orientacji <111> i <100> z pomiarów rezystancji rozpływu styku punktowego (SR). Wykonane wzorce umożliwiają kalibrację systemu i zapewniają pomiar profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych o rezystywności dochodzącej do 10 kΩcm. Wdrożono procedury zawarte w instrukcjach ASTM dla przeprowadzenia pomiarów metodą sondy czteroostrzowej rezystywności monokrystalicznych płytek krzemowych przeznaczonych na wzorce do kalibracji systemu SR.
    Si standards for the calibration of a spreading resistance probe for measuring the resistivity profiles of n and p type <111> and <100> oriented silicon epitaxial wafers have been performed. These standards allow both the calibration of the SR system and the measurement of resistivity distribution in silicon epitaxial layers having resistivity of up to 10 kΩcm. Procedures for measuring the resistivity of silicon wafers used as standards for the SR systems calibration by the Four-Point Probe method have been implemented in accordance with the ASTM instruction.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 4, 4; 20-26
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mechanical strength and fracture toughness of brittle monocrystalline and ceramic materials
    Wytrzymałość mechaniczna i odporność na pękanie kruchych materiałów monokrystalicznych i ceramicznych
    Autorzy:
    Boniecki, M.
    Kamiński, P.
    Wesołowski, W.
    Krzyżak, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192433.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    Y2O3 ceramics
    high-purity silicon
    fracture toughness
    bending strength
    ceramika Y2O3
    krzem
    odporność na pękanie
    wytrzymałość na zginanie
    Opis:
    The article compares the mechanical properties of a n-type silicon single crystal with an orientation <100> and resistivity ~ 2000 Ωcm, obtained by the floating zone (FZ) method, with the mechanical properties of Y2O3 ceramics. Both materials are characterized by a high value of transmission coefficient of electromagnetic radiation in the wavelength range from 2 μm to 8 μm and they can be used as optical windows in a near infrared range. However, the choice of a material type for the specific applications may depend on their mechanical properties. these properties have been determined both at room temperature and at elevated temperature, i.e. 700°C for si and 800°C for Y2O3 ceramics. We have found that at room temperature the fracture toughness of the Si single crystal KIc = 1.3 ± 0.1 MPam1/2 and the four-point bending strength σc = 289 ± 61 MPa. For Y2O3 ceramics these parameters are 1.8 ± 0.2 MPam1/2 and 184 ± 20 MPa, respectively. At 700°C the mechanical parameters for the Si single crystal are: KIc = 20 ± 3 MPam1/2 and σc = 592 ± 86 MPa. for Y2O3 ceramics at 800°C, KIc = 1.7 ± 0.1 MPam1/2 and σc = 230 ± 23 MPa. The presented data show that at elevated temperatures both fracture toughness and bending strength of the Si single crystal are significantly greater than the values of those parameters found for Y2O3 ceramics.
    W artykule porównano właściwości mechaniczne monokrystalicznego krzemu typu n o orientacji <100> i rezystywności ~ 2000 Ωcm, otrzymanego metodą beztyglową, z właściwościami mechanicznymi ceramiki Y2O3. Oba materiały charakteryzują się dużym współczynnikiem transmisji promieniowania elektromagnetycznego w zakresie długości fali od 2 μm do 8 μm i mogą być stosowane jako okna optyczne w zakresie bliskiej podczerwieni. Wybór rodzaju materiału dla konkretnych zastosowań może być jednak uzależniony od ich właściwości mechanicznych. Właściwości te określano zarówno w temperaturze pokojowej, jak i w temperaturze podwyższonej do 700°C w przypadku Si oraz do 800°C w przypadku ceramiki Y2O3. Stwierdzono, że dla Si w temperaturze pokojowej odporność na pękanie KIc = 1,3 ± 0,1 MPam1/2,a wytrzymałość na zginanie czteropunktowe σc = 289 ± 61 MPa. Dla Y2O3 parametry KIc i σc przyjmują wartości wynoszące w tej temperaturze odpowiednio 1,8 ± 0,2 MPam1/2 i 184 ± 20 MPa. W temperaturze 700°C wartości parametrów KIc i σc dla Si są równe odpowiednio 20 ± 3 MPam1/2 oraz 592 ± 86 MPa, zaś dla ceramiki Y2O3 w 800°C KIc = 1,7 ± 0,1MPam1/2 i σc = 230 ± 23 MPa. Prezentowane dane wskazują, że w temperaturze pokojowej wytrzymałość na zginanie czteropunktowe monokrystalicznego Si jest znacząco większa niż ceramiki Y2O3. W podwyższonych temperaturach zarówno odporność na pękanie, jak i wytrzymałość na zginanie monokrystalicznego Si jest wielokrotnie większa niż w przypadku ceramiki Y2O3.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 4, 4; 8-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies