Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "vertical mobility" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Development of 3C-SiC MOSFETs
Autorzy:
Bakowski, M.
Schöner, A.
Ericsson, P.
Strömberg, H.
Nagasawa, H.
Masayuki, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308791.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
vertical MOSFET
3C-SiC
channel mobility
Opis:
The paper reviews the development of the 3C-SiC MOSFETs in a unique development project combining the material and device expertise of HAST (Hoya Advanced Semiconductor Technologies) and Acreo, respectively. The motivation for the development of the 3C-SiC MOSFETs and the summary of the results from the lateral and vertical devices with varying size from single cell to 3×3 mm2 large devices are reviewed. The vertical devices had hexagonal and square unit cell designs with 2 žm and 4 žm channel length. The p-body was aluminum implanted and the source was nitrogen or phosphorus implanted. Low temperature Ti/W contacts were evaluated.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 49-56
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies