Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "frequency characterization" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Frequency Offset Compensation for OFDM Systems Using a Combined Autocorrelation and Wiener Filtering Scheme
Autorzy:
Ramadan Ali, A.
Khanzada, T. J.
Omar, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308065.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
channel characterization
frequency offset
OFDM measurement
Wiener filtering
Opis:
One of the orthogonal frequency division multiplexing (OFDM) system disadvantages is its sensitivity to frequency offset and phase noise, which lead to losing the orthogonality between the subcarriers and thereby degrade the system performance. In this paper a joint scheme for frequency offset and pilot-based channel estimation is introduced in which the frequency offset is first estimated using an autocorrelation method, and then is fined further by applying an iterative phase correction by means of pilot-based Wiener filtering method. In order to verify the capability of the estimation algorithm, the scheme has been implemented and tested using a real measurement system in a multipath indoor environment. The results show the algorithm capability of compensating for the frequency offset with different transmission and channel conditions.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2010, 1; 40-47
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On-wafer wideband characterization: a powerful tool for improving the IC technologies
Autorzy:
Lederer, D.
Raskin, J. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308775.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
silicon-on-insulator (SOI)
MOSFET
wideband characterization
microwave frequency
extraction techniques
small-signal equivalent circuit
Opis:
In the present paper, the interest of wideband characterization for the development of integrated technologies is highlighted through several advanced devices, such as 120 nm partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs, 120 nm dynamic threshold (DT) voltage - SOI MOSFETs, 50 nm FinFETs as well as long-channel planar double gate (DG) MOSFETs.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 69-77
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies