Temat: simulation modeling - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: MEMS accelerometer simulations in Matlab/SIMULINK and COMSOL Multiphysics
Autorzy:: Nazdrowicz, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397778.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: microelectromechanical systems
simulation model
microaccelerometer
MATLAB
SIMULINK
MEMS modeling
SimScape toolbox
mikroukład elektromechaniczny
model symulacyjny
mikroakcelerometr
modelowanie MEMS
SimScape
Opis:: In this paper modelling and simulation of MEMS accelerometers in Matlab/SIMULINK environment are presented. Results of simulations of three different approaches: mathematical, electrical equivalent and physical models are compared with FEM accelerometer model created in COMSOL software. Results of simulations are analyzed for displacement response for two of the most popular spring geometries - folded and straight. Author takes into consideration crucial aspects of damping coefficients influence on accelerometer performance.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 4; 161-167
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Modeling of vibrating angular. Motion sensor in Matlab/SIMULINK
Autorzy:: Nazdrowicz, Jacek
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397700.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: microelectromechanical systems
simulation model
microaccelerometer
MATLAB
SIMULINK
MEMS modeling
Simscape toolbox
mikroukład elektromechaniczny
model symulacyjny
mikroakcelerometr
modelowanie MEMS
SimScape
Opis:: This paper presents different models and results of simulations of MEMS vibrating gyroscope in Matlab/SIMULINK environment. Each model is created with different approach, using different blocks and different physics. Therefore author presents his proposal of mathematical, electrical equivalent and physical models. Results obtained from these models can give some hints regarding design and dimensions of some crucial parts of MEMS gyroscope. Here, decoupled vibrating sensor is considered, which minimize drive and sense motion mutual influence.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2018, 9, 1; 27-32
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Analysis and investigation of Schottky barrier MOSFET current injection with process and device simulation
Autorzy:: Schwarz, Mike
Calvet, Laurie E.
Snyder, John P.
Krauss, Tillmann
Schwalke, Udo
Kloes, Alexander
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397926.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: Poisson equation
device simulation
field emission
modeling
MOSFET
process simulation
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
tunneling current
równanie Poissona
emisja polowa
modelowanie
symulacja procesu
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd tunelowy
Opis:: In this paper we focus on the implementation of a process flow of SB-MOSFETs into the process simulator of the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. An improved structure containing topography is briefly discussed and further device simulations are applied with the latest physical models available. Key parameters are discussed and finally the results are compared with fabricated SB-MOSFETs in terms of accuracy and capability of process simulations.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2018, 9, 1; 1-8
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Modeling the characteristics of high-k HfO2-Ta2O5 capacitor in Verilog-A
Autorzy:: Angelov, G. V.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/398142.pdf
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric
Opis:: A circuit simulation model of a MOS capacitor with high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer is developed and coded in Verilog-A hardware description language. Model equations are based on the BSIM3v3 model core. Capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) characteristics are simulated in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system and validated against experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 slack structure.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 3; 105-112
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Surface Potential Modeling of a High-k HfO2-Ta2O5 Capacitor in Verilog-A
Autorzy:: Angelov, G. V.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397997.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
PSP
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric
Opis:: A compact model of a high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer capacitor stack is developed in Matlab. Model equations are based on the surface potential PSP model. After fitting the C-V characteristics in Matlab the model is coded in Verilog-A hardware description language and it is implemented as external library in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system. The results are validated against the experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 stack structure.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 3; 111-118
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Modeling and simulations of MEMS gyroscope with MATLAB/SIMULINK package
Autorzy:: Nazdrowicz, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397914.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: MEMS
gyroscope
angular velocity sensor
microelectromechanical systems
model simulation
microaccelerometer
MATLAB
SIMULINK
MEMS modeling
equivalent circuit model
żyroskop
czujnik prędkości kątowej
mikroukład elektromechaniczny
model symulacyjny
akcelerometr
modelowanie MEMS
model obwodu zastępczego
Opis:: This paper presents developed mathematical model of MEMS gyroscope created in Matlab/SIMULINK environment. The model can be very useful for calculating MEMS gyroscope geometrical parameters. These parameters play very significant role, because they have huge and direct impact on device response, performance and further possibilities of application. Results of simulations are presented in this article separately for drive and sense direction. In addition there are also results in frequency domain presented. With all these results we obtain quick overview of behavior this kind of MEMS device and response characteristics.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 1; 21-28
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Respiratory system model based on PSPICE
Autorzy:: Masana, F. N.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/398140.pdf
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: respiratory system model
analog behavioral modeling
nonlinear model
open simulation environment
PSPICE
FVC maneuver
tidal breathing
model układu oddechowego
ABM
modelowanie behawioralne
model nieliniowy
środowisko symulacji
manewr FVC
oddychanie spokojne
Opis:: The aim of the present work is the building of a lumped nonlinear dynamic model of lung/airway mechanics using generic instead of specific software, in an attempt to offer an open simulation environment. Based on the analogy between pneumatic and electric magnitudes, an electrical equivalent circuit of the lung/airway mechanics is derived. Then, the nonlinear circuit elements are constructed by means of the powerful Analog Behavioral Modeling (ABM) building blocks and the system is solved using PSPICE. Following the approach in [3] and [4], five lumps are defined: two capacitors (elastances) corresponding to lung and collapsible airway segment and three resistors, corresponding to lung, collapsible airway segment and upper airway. The element definition involves as much as five parameters for the lung, four parameters for the collapsible segment and two parameters for the upper airway. The model does not attempt to mimic any particular system adjusting a given set of parameters but instead to provide a tool to explore the relationship between a given parameter or set of parameters and the system response. In particular, Forced Vital Capacity (FVC) maneuver and tidal breathing will be explored.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2015, 6, 3; 102-109
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Analysis of a Simple Method of CMOS IC Design for Yield Optimization
Autorzy:: Tomaszewski, D.
Yakupov, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397989.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: CMOS
projektowanie pod kątem zysku
funkcja gęstości prawdopodobieństwa
dystrybuanta
modelowanie statystyczne
BPV
symulacja SPICE
design centering
design for yield
probability density function
cumulative distribution function
statistical modeling
BPV method
SPICE simulation
Opis:: A simple approach for CMOS integrated circuit (IC) design taking into account a process variability and oriented towards optimization of a parametric yield has been presented. Its concept is based on cumulative distribution functions of random variables representing IC performances subject to process variations. In the method it has been assumed that CMOS process statistical data are expressed in terms of so-called process parameter distributions. Thus the design centering is done via layout parameter tuning. The approach relies on maximizing the probability that random variables corresponding to IC performances remain within the performance boundaries. Also, a methodology for statistical characterization of CMOS process has been briefly described. Finally, the method operation has been illustrated using analytical and SPICE models of CMOS inverter, operational amplifier and ring oscillator.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 3; 81-87
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "simulation modeling" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język