Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "noise coupling" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
SPICE simulation of passive N-type guard rings in smart power ICs
Autorzy:
Buccella, P.
Stefanucci, C.
Sallese, J.-M.
Kayal, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397726.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
substrate modeling
noise coupling
power parasitic modelling
modelowanie substratów
sprzężenie zakłóceń
zasilanie pasożytnicze
Opis:
When designing in Smart Power technologies, TCAD simulations are mandatory to design effective passive protections against parasitic couplings due to minority carriers. The objective of this paper is to propose a SPICE-based approach to characterize electrical key parameters of a passive protection directly within standard IC design flow avoiding time consuming TCAD simulations. Our approach consists in integrating a new substrate model in SPICE to enable designers to derive themselves process specific design rules and reduce substrate couplings. This methodology enables designers to access valuable results in the early stage of IC design, where before such results could be obtained only in the final verification step.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2015, 6, 2; 64-68
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Interconnections coupling through substrate for frequencies up to 100 GHz
Autorzy:
Gerakis, V
Hatzopoulos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397752.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
substrate noise
interconnect coupling
substrate doping
S-parameters
Z-parameters
zakłócenia podłożowe
domieszkowanie substratu
parametry rozproszenia
parametry impedancji
Opis:
This work presents a study on the substrate noise coupling between two interconnects. A highly, a lightly and a uniformly doped substrate, approximating most modern technologies, are described. The three different doping profiles are simulated for various interconnect distances and different metal layers assuming a 65 nm bulk CMOS technology. A proper data analysis methodology is presented, including z and s parameters extraction and de-embedding procedure.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2014, 5, 4; 144-148
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies