Temat: circuit model - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Modeling and simulations of MEMS gyroscope with MATLAB/SIMULINK package
Autorzy:: Nazdrowicz, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397914.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: MEMS
gyroscope
angular velocity sensor
microelectromechanical systems
model simulation
microaccelerometer
MATLAB
SIMULINK
MEMS modeling
equivalent circuit model
żyroskop
czujnik prędkości kątowej
mikroukład elektromechaniczny
model symulacyjny
akcelerometr
modelowanie MEMS
model obwodu zastępczego
Opis:: This paper presents developed mathematical model of MEMS gyroscope created in Matlab/SIMULINK environment. The model can be very useful for calculating MEMS gyroscope geometrical parameters. These parameters play very significant role, because they have huge and direct impact on device response, performance and further possibilities of application. Results of simulations are presented in this article separately for drive and sense direction. In addition there are also results in frequency domain presented. With all these results we obtain quick overview of behavior this kind of MEMS device and response characteristics.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 1; 21-28
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Modeling the characteristics of high-k HfO2-Ta2O5 capacitor in Verilog-A
Autorzy:: Angelov, G. V.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/398142.pdf
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric
Opis:: A circuit simulation model of a MOS capacitor with high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer is developed and coded in Verilog-A hardware description language. Model equations are based on the BSIM3v3 model core. Capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) characteristics are simulated in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system and validated against experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 slack structure.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 3; 105-112
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Surface Potential Modeling of a High-k HfO2-Ta2O5 Capacitor in Verilog-A
Autorzy:: Angelov, G. V.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397997.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
PSP
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric
Opis:: A compact model of a high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer capacitor stack is developed in Matlab. Model equations are based on the surface potential PSP model. After fitting the C-V characteristics in Matlab the model is coded in Verilog-A hardware description language and it is implemented as external library in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system. The results are validated against the experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 stack structure.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 3; 111-118
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja