Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Liu, C.-M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Reduced stress and fluctuation for the integrated α-Si TFT gate driver on the LCD
Autorzy:
Huang, N. X.
Shiau, M. S.
Wu, H.-C.
Sun, R. C.
Liu, D.-G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397883.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
sterownik bramy
fluktuacja hałasu
wpływ naprężenia
system w panelu
gate driver
fluctuation noise
stress effect
system on panel (SoP)
Opis:
In this paper, an integrated TFT gate driver was designed on the glass substrate not only to decrease the fluctuation at the output, but also to reduce the stress effect on the pull-down branches. The fluctuation in the voltage at the output transistor was attributed to the coupled clocks through the parasitic capacitors in the TFTs. In this study, the voltage gating the pull-down braches was reduced for longer operational lifetime. This scheme was investigated by simulation by Smart-SPICE with an α-Si TFT model from Wintek Inc. at level 35.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 3; 311-315
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A CTS pump with a crossed-coupled output for higher conversion efficiency
Autorzy:
Hsieh, Z. H.
Huang, N. X.
Shiau, M. S.
Wu, H. C.
Yang, S.-Y.
Liu, D.-G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397847.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
DC-DC przetwornice
CTS ładunek pompy
sprzężenie skrośne ładunku pompy
DC-DC converter
CTS charge pump
cross coupled charge pump
Opis:
In this paper, a novel switching-capacitor DC-DC voltage converter with higher efficiency will be presented. This circuit was designed by modifying the output stage of the conventional static charge-transfer-switch (CTS) charge pump in a cross-coupled configuration. In this design, a control scheme to overcome both the reverse charge sharing and the threshold drops in the CTS pump was also employed. In this study, the capacitances for all the pumping capacitors were selected the same as 0.1 μF. With this design, our circuit can operate with a clock rate up to 1 MHz. The performance of this circuit was first evaluated by simulation by HSPICE with the 0.35-μm technology of TSMC. The results showed that this circuit can pump the low input of 1.5V nearly 5 times at the output. The conversion gain can be around 95%. The performance of the real chip manufactured by TSMC was measured and will be compared with the simulation results.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 1; 9-14
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies