Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Wojtasiak, W." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
A 100 W SiC MESFET Amplifier for L-band T/R Module of APAR
Autorzy:
Wojtasiak, W.
Gryglewski, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226539.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
high power amplifier
SiC
MESFET
T/R module
APAR
Opis:
In the paper, a 100W SiC MESFET amplifier design dedicated for a L-band T/R module of APAR is presented. The output power higher than 100 W has been achieved by combining in a balanced configuration two single stages with Cree's 60 W CRF24060 SiC MESFETs. The amplifier design methodology is based on the small-signal model and DC characteristics of SiC MESFET. The model is extracted using the transistor Sparameters at three operating points for On-state, Off-state and normally biased. The measurements and simulations prove usefulness of the proposed design method. The amplifier was excited with pulsed and cw signals for the case temperature ranging from 60°C to 140°C. As a result of the case temperature changes the output power drop was lower than 0.5 dB at the level of 150 W.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2011, 57, 1; 135-140
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
27 dBm Microwave Amplifiers with Adaptive Matching Networks
Autorzy:
Rosolowski, D.
Wojtasiak, W.
Gryglewski, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226524.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Adaptive Power Amplifiers (APAs)
components for Software Defined Radio
multi-band devices
multi-mode devices
RF
adaptivity
tunable matching networks
Opis:
The paper describes adaptive amplifier design with varactors and pin diodes as regulators of matching networks. As examples the two amplifiers with SHF-0189 HFET transistor and different matching sections were designed and manufactured. The output power level of 27 dBm and gain higher than 13 dB within L and S-band have been achieved. The amplifier design methodology is based on the small-signal approach and DC characteristics of transistors and regulators. Amplifier adaptivity allows us to remotely control the chosen parameters such as: frequency range, output power level, gain and etc.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2011, 57, 1; 103-108
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Computer-controlled System of High-power Microwave Sources
Autorzy:
Korpas, P.
Gryglewski, D.
Wojtasiak, W.
Gwarek, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226529.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
SiC
GaN
high power amplifier
PLL synthesizer
microwave sources
Opis:
The paper presents the design and hardware implementation of a computer controlled system composed of up to four high-power microwave sources. Each source provides up to 200 W of continuous wave power. Frequency of each source is stabilized within ±0.5 ppm of the nominal frequency adjustable within 2.35÷2.6 GHz range. All four sources can be synchronized to the same frequency with computer-controlled phase shift between the signals generated by each of them. The paper concentrates on the choice of components for such a system and the properties of the realized hardware implementation.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2011, 57, 1; 121-126
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies