Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "gallium phosphide" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Photodiode based on the epitaxial phosphide gallium with increased sensitivity at a wavelength of 254 nm
Fotodioda oparta na epitaksjalnym fosforku galu o zwiększonej wrażliwości przy długości fali 254 nm
Autorzy:
Dobrovolsky, Yurii G.
Lipka, Volodymyr M.
Strebezhev, Volodymyr V.
Sorokatyi, Yurii O.
Sorokatyi, Mykola O.
Andreeva, Olga P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408832.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
photodiode
gallium phosphide
sensitive, 254 nm
Schottky barrier
fotodioda
fosforek galu
czułość, 254 nm
bariera Schottky'ego
Opis:
The paper showsthe results of the development of a photodiode technology based on gallium phosphide structure n+-n-GaP-Au with high sensitivity. It provides the ion etching of the surface of the gallium phosphide before an application of a leading electrodeof gold. The barrier layerof a 20 nm thick gold is applied to thesubstrate in the magnetic field of GaP. When forming the contact with the reverse sideof the indium substrate at 600°C, there occurs the annealing of the gold barrier layer. At the maximum of the spectral characteristics obtained by the photodiode, it has a sensitivity of 0.13A/W, and at a wavelength of 254 nm – about 0.06 A/W. The dynamic range of the photodiode is not less than 107.
Artykuł pokazuje rezultaty rozwoju technologicznegofotodiody opartej na fosforku galu o strukturze n+-n-GaP-Auo wysokiej czułości. Umożliwia to wytrawianie jonowe powierzchni fosforku galu, zanim zastosowana zostanie elektroda przewodząca wykonana ze złota. Złota warstwa barierowa o grubości 20 nm jest nakładana na podłoże GaP w polu magnetycznym. Gdy powstaje stykz tyłu podłoża indowego w temperaturze 600°C, złota warstwa barierowa jest wyżarzana. Przy maksymalnej charakterystyce spektralnej uzyskanej przezfotodiodę, ma ona czułość 0,13 A/W, a przy długości fali 254 nm –około 0,06 A / W. Zakres dynamiczny fotodiody wynosi co najmniej 107.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 1; 36-39
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies