Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Gołaszewska, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Optical investigations of ZnO layers affected by some selected gases in the aspect of their application in optical gas sensors
Autorzy:
Struk, P.
Pustelny, T.
Gołaszewska, K.
Borysiewicz, M. A.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200967.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
ZnO
semiconductor
gas sensors
Zno
czujniki gazu
półprzewodnik
Opis:
The paper presents the results of investigations of zinc oxide (ZnO) layers as a potential sensing material, being affected by certain selected gaseous environments. The investigations concerned the optical transmission through thin ZnO layers in wide spectral ranges from ultraviolet to the near infrared. The effect of the gaseous environment on the optical properties of zinc oxide layers with a thickness of ~ 400 nm was analyzed applying various technologies of ZnO manufacturing. Three kinds of ZnO layers were exposed to the effect of the gaseous environment, viz.: layers with relatively slight roughness (RMS several nm), layers with a considerable surface roughness (RMS some score of nm) and layers characterized by porous ZnO structures. The investigations concerned spectral changes in the transmission properties of the ZnO layers due to the effect of such gases as: ammonia (NH3), hydrogen (H2), and nitrogen dioxide (NO2) in the atmosphere of synthetic air. The obtained results indicated the possibility of applying porous ZnO layered structures in optical gas sensors.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2015, 63, 4; 829-836
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS structures
Autorzy:
Taube, A.
Guziewicz, M.
Kosiel, K.
Gołaszewska-Malec, K.
Król, K.
Kruszka, R.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/953063.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
aluminum oxide
MOS
silicon carbide
4H-SiC
high-K dielectrics
tlenek glinu
węglik krzemu
dielektryki high-k
Opis:
The paper presents the results of characterization of MOS structures with aluminum oxide layer deposited by ALD method on silicon carbide substrates. The effect of the application of thin SiO2 buffer layer on the electrical properties of the MOS structures with Al2O3 layer has been examined. Critical electric field values at the level of 7.5–8 MV/cm were obtained. The use of 5 nm thick SiO2 buffer layer caused a decrease in the leakage current of the gate by more than two decade of magnitude. Evaluated density of trap states near the conduction band of silicon carbide in Al2O3/4H-SiC MOS is about of 1×1013 eV−1cm−2. In contrast, the density of the trap states in the Al2O3/SiO2/4H-SiC structure is lower about of one decade of magnitude i.e. 1×1012 eV−1cm−2. A remarkable change in the MOS structure is also a decrease of density of electron traps located deeply in the 4H-SiC conduction band below detection limit due to using of the SiO2 buffer layer.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 3; 537-551
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies