Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Detektory" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-9 z 9
Tytuł:
Teoretyczna analiza właściwości heterozłącza pP⁺ w temperaturze pokojowej za pomocą zaawansowanej symulacji komputerowej
Theoretical analysis of near-room temperature pP⁺ HgCdTe heterojunction using an advanced numerical method
Autorzy:
Gawron, W.
Jóźwikowski, K.
Kopytko, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/210677.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
detektory podczerwieni
HgCdTe
heterozłącza
infrared detectors
heterojunctions
Opis:
Artykuł przedstawia wyniki obliczeń teoretycznych parametrów heterozłącza pP⁺ w temperaturze pokojowej wykonanych za pomocą zaawansowanej symulacji komputerowej. Dla porównania przedstawiono także wyniki obliczeń parametrów heterozłącza N⁺p. Wszystkie obliczenia wykonane są dla temperatury 300 K przy oświetlaniu złącza od strony obszaru silnie domieszkowanego promieniowaniem o długości fali 10,6 µm. Wykorzystano oryginalne metody i programy komputerowe opracowane w Zakładzie Fizyki Ciała Stałego.
We report on the results of theoretical calculation of near-room temperature HgCdTe pP⁺ heterojunction. The calculated parameters of pP⁺ junction were compared with parameters of N⁺p junction. All the analyses were done under 300 K temperatures after illuminating the structure from a highly doped layer by the light with a wavelength of 10.6 µm. We have taken advantage of original methods of numerical simulation using computer programmes prepared at the Institute of Applied Physics.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2011, 60, 4; 161-176
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
System do pomiarów charakterystyk widmowych detektorów promieniowania optycznego w szerokim zakresie temperatury
A system for measurement spectral characteristics in wide temperature range
Autorzy:
Ćwirko, R.
Ćwirko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/210569.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
system pomiarowy
detektory UV
detektory VIS
detektory IR
pomiary fazoczułe
pomiary kriogeniczne
charakterystyki widmowe fotodetektorów
measurement system
UV detectors
VIS detectors
IR detectors
lock-in detection
cryogenic mesurements
spectral response of photodetectors
Opis:
W artykule przedstawiono zaprojektowany i wykonany w Wojskowej Akademii Technicznej (WAT) system do pomiarów charakterystyk widmowych detektorów promieniowania optycznego UV, VIS i IR w szerokim zakresie temperatury od 10 K do 450 K. System pomiarowy umożliwia także badanie wpływu temperatury na charakterystyki szumowe detektorów.
The paper presents an integrated system, developed at the Military University of Technology (MUT), used for measurements of spectral characteristic of UV, VIS, and IR detectors. The setup provides also the possibility of noise measurements in a wide temperature range - from 10 K to 450 K.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 2; 407-417
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rozszerzona diagnostyka półprzewodnikowych detektorów UV
Extended diagnostics of semiconductor UV detectors
Autorzy:
Ćwirko, J.
Ćwirko, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/210354.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
optoelektronika
półprzewodnikowe detektory UV
charakterystyki widmowe
optoelectronic
semiconductors UV detectors
spectral characteristics
Opis:
Artykuł przedstawia wybrane zagadnienia diagnostyki detektorów UV. Przy wyborze detektorów UV do konkretnej aplikacji należy uwzględnić, że ich parametry optyczne i elektryczne mogą się zmieniać w znacznym stopniu podczas eksploatacji. Najczęstszymi źródłami tych procesów jest długoczasowe narażenie struktury półprzewodnikowej detektora UV na wpływ silnego promie¬niowania termicznego lub/i optycznego. Na podstawie przeprowadzonych eksperymentalnych badań różnych typów detektorów półprzewodnikowych opracowano metodykę ich diagnostyki. Pierwszym etapem jest pomiar charakterystyk widmowych i szumowych detektorów w temperaturze otoczenia. Pomiary mają na celu sprawdzenie i ewentualne odrzucenie detektorów, które nie spełniają wymagań danej aplikacji. Kolejnym etapem jest pomiar charakterystyk widmowych w szerokim zakresie temperatur dodatnich, a następnie w zakresie kriogenicznych zmian temperatury. Detektory, które są przewidywane do zastosowań w sprzęcie eksploatowanym w ekstremalnych warunkach (np. wysoka temperatura, duże natężenie naturalnego promieniowania ultrafioletowego), powinny podlegać w ramach diagnostyki badaniom długoczasowym. Badania te obejmują wygrzewanie w podwyższonej temperaturze oraz badanie wpływu długotrwałych pobudzeń optycznych. Opracowane procedury diagnostyki umożliwiają uzyskanie dodatkowych, pozakatalogowych informacji w aspekcie eksploatacji detektorów UV w ekstremalnych warunkach.
The article presents selected issues of UV detectors’ diagnostics. When choosing the UV detector to a specific application, one should take into account that their optical and electrical parameters can vary significantly during operation. The most common sources of these processes are long term exposure of semiconductor structure of UV detector to the impact of thermal and/ or optical radiation. On the basis of experimental studies of different types of semiconductor UV detectors, the methodology of their characterization has been developed. The first step is to measure spectral characteristics of the noise detector at ambient temperature. Measurements are aimed at checking and possible rejection of detectors that do not meet the requirements of the application. The next step is to measure spectral characteristics in a wide temperature range of positive and cryogenic temperatures’ changes. Detectors that are expected to be used in equipment operated in extreme conditions (eg. high temperature, high levels of natural ultraviolet), should be examined in the context of long-time diagnostics. These tests include annealing at elevated temperatures and long-term study of the effects of optical excitation. The developed diagnostic procedures allow us to obtain additional data, beyond the catalogue data, in terms of UV detectors operating in extreme conditions. On the other hand, studies on long term forecast ensure long-term reliability of detectors.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2016, 65, 2; 53-65
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Efektywna metoda monitoringu widma do wykrywania sygnałów wyzwalających IED
Eficient method of spectrum monitoring for detection of radio controlled IED
Autorzy:
Kryk, M.
Łopatka, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/208924.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
telekomunikacja
detektory energii
stacja zakłócająca
telecommunication
detection algorithms
detection and jamming station
Opis:
Podczas realizowania obecnych misji wojskowych obserwuje się gwałtowny wzrost znaczenia improwizowanych ładunków wybuchowych IED. Powodem tak dużego zainteresowania terrorystów tymi rozwiązaniami jest łatwy dostęp do broni oraz tanich i szeroko osiągalnych systemów komunikacji. W celu zminimalizowania działania ładunków IED, w urządzeniach odpowiedzialnych za monitorowanie środowiska elektromagnetycznego wprowadza się nowe metody skanowania i wykrywania sygnałów radiowych. Wpływają one na zwiększenie jakości odbieranych danych oraz skracają czas detekcji, a tym samym czas reakcji całego systemu. Dlatego też celem niniejszego artykułu jest przedstawienie metody skanowania sygnałów radiowych. Do zrealizowania tego zadania zaproponowano procedurę detekcji, którą następnie sprawdzono na stanowisku pomiarowym. Praca składa się z czterech rozdziałów. W pierwszym opisano założenia oraz ideę działania proponowanego systemu skanowania sygnałów. Przedstawiona w nim metoda składa się z dwóch części: detektora tła szumowego i detektora energii. W następnym rozdziale zaprezentowano stanowisko pomiarowe. Opisano podstawowe parametry odbiornika, szczególnie zwracając uwagę na zastosowany w nim tor obliczania widma sygnału. Następnie zaprezentowano sposób wykonywania testów. W rozdziale trzecim przedstawiono wyniki przeprowadzonych testów, znajdują się tam podstawowe charakterystyki prawdopodobieństwa fałszywego alarmu i detekcji dla różnych trybów pracy. Ostatni rozdział podsumowuje uzyskane wyniki i przedstawia wnioski.
During realization of current military missions, a significant increase in the Improvised Explosive Device (IED) use can be noticed. The reason of that is easy access to weapons and explosive materials, and widely accessible communication systems. In order to minimize the IED efficiency, it is necessary to develop and introduce new methods and devices for spectrum monitoring. They should provide better sensitivity, selectivity, and shorter detection time and hence the reaction time of the whole system. Therefore the goal of this article is to propose a new method of wideband detection of radio signals. The elaborated method was then tested in laboratory conditions using designed test bench. This work consists of 4 parts. In the first one, assumptions and the idea of the proposed scanning system are described. The method presented here consists of two components: background noise detector and energy detector. In the next part, the proposed test bench is shown. Additionally, basic parameters of receiver are described, paying particular attention to properties of the signal spectrum calculation subsystem. The third part contains results of the tests. These are particularly characteristics such as probability of false alarm and probability of detection depending on different modes of spectrum calculation. The last part summarizes the results and presents the conclusions.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2013, 62, 2; 87-99
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stanowiska dydaktyczne do badań elementów systemów ochrony
Laboratory stands for research of security systems’ components
Autorzy:
Ćwirko, J.
Ćwirko, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/210191.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
detektory piroelektryczne
badania środowiskowe
system kontroli dostępu
pyroelectric detector
environment studies
access control system
Opis:
Artykuł przedstawia dwa stanowiska dydaktyczne przeznaczone do badań podstawowych elementów systemów ochrony. W systemach alarmowych najczęściej wykorzystywanym podzespołem są czujki PIR. Elementem detekcyjnym czujki PIR jest detektor piroelektryczny — jego parametry decydują o czułości czujki i jej odporności na „fałszywe alarmy”. Zrealizowane stanowisko pozwala na kompleksowe badania detektorów piroelektrycznych, w tym pracy w szerokim zakresie temperatury — w ochronie zewnętrznej i peryferyjnej obiektu. Stanowisko składa się ze źródła promieniowania (kalibrator), modulatora mechanicznego, ogniwa Peltiera (zmiany temperatury detektora) i przyrządów pomiarowych. Głównym celem systemów kontroli jest selekcja dostępu do bardzo różnorodnych obiektów i systemów technicznych. Zrealizowany zestaw składa się z czterech indywidualnych stanowisk KD. Pojedyncze stanowisko KD jest sterowane modułem kontrolera przejścia, a jego podstawowy element to moduł drzwiowy. Wzależności od pożądanej konfiguracji moduł drzwiowy jest wyposażony w: czytnik kart inteligentnych z klawiaturą, czytnik pastylek Dallas, przycisk otwarcia czy manipulator. Dla użytkowników określa się harmonogramy dostępu — mamy do dyspozycji schemat tygodniowy, dzienny i tzw. ramki czasowe.
The article presents two laboratory stands for research of basic security systems’ components. PIR detectors are the most widely used components in alarm systems. PIR detector element is a pyroelectric detector — its parameters determine the sensitivity of the detector and its resistance to “false alarms”. The completed laboratory stand allows for a comprehensive study of pyroelectric detectors, including work in a wide temperature range — to protect peripheral objects. The stand consists of radiation source (calibrator), the mechanical modulator, Peltier (change of temperature detector) and measuring instruments. The main purpose of access control system (ACC) is the selection of access to a wide variety of objects and technical systems. Realized laboratory set consists of 4 individual stands KD. Single stand KD is controlled by the transition controller module and base element is the door module. Depending on the desired configuration of the door module is equipped with: a smart card reader with keypad, Dallas chip reader, opening button or keypad. The access is defined for users — we have a weekly schedule, day and so-called time frames.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2015, 64, 4; 71-82
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Detektory fotoemisyjne na bazie związków AIII BV
Photoemissive detectors on the basis of AIII BV semiconductors
Autorzy:
Wojas, W.
Wojas, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/211202.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
półprzewodniki
powinowactwo elektronowe
detektory na podczerwień
semiconductors
electron affinity
photoemitters
detectors for infrared radiation
Opis:
Autorzy szczegółowo omówili zjawisko ujemnego powinowactwa elektronowego w półprzewodnikach grupy AIII BV w aspekcie jego wykorzystania do konstrukcji czułych detektorów podczerwieni. Pokazano, dlaczego arsenek galu jest najbardziej odpowiednim materiałem z tej grupy związków półprzewodnikowych do wykorzystania zjawiska ujemnego powinowactwa do budowy czułych fotoemiterów. Opisano procesy technologiczne otrzymywania takich emiterów przez nakładanie (napylanie) warstw tlenku cezu na arsenek galu. Wymieniono warunki, jakie powinien spełnić fotoemiter. Podano przykłady budowy i zastosowania detektorów do wykrywania padającego promieniowania bliskiej i średniej podczerwieni.
The authors discuss in detail the phenomena of negative electron affinity for semiconductors AIII BV in aspect of construction of sensitive detectors for infrared radiation. We show that GaAs is the most suitable material of this group of semiconductors for application of negative electron affinity to construct sensitive photoemitters. The technological process of fabrication of these emitters with Cs2O layer on GaAs is described. We present the conditions for the photoemitter. We show the examples of detectors for detecting near infrared and middle infrared radiation.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2010, 59, 4; 239-260
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Metoda stabilizacji termicznej czułości układu detekcyjnego z niechłodzonym fotorezystorem PbSe
Method of thermal stabilization of noncooled photoresistor PbSe
Autorzy:
Młodzianko, A.
Zygmunt, M.
Knysak, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/208575.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
fotorezystor PbSe
detekcja
podczerwień
stabilizacja termiczna
detektory podczerwieni
PbSe photoresistor
stabilization
IR detection
IR photodetectors
Opis:
W artykule przedstawiono metodę stabilizacji termicznej czułości układu detekcyjnego dla zakresu spektralnego podczerwieni MIDIR 2-5 μm z wykorzystaniem fotorezystora wykonanego w technologii PbSe bez układów chłodzących. Zaprezentowano również wyniki badań termicznych czułości detektorów różnych producentów oraz realizację praktyczną układu detekcyjnego wraz z wynikami badań temperaturowych.
A method of thermal responsivity compensation of 1-5 μm detection system with uncooled PbSe photoresistor has been presented. It includes theoretical description and experimental results of thermal measurements.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 1; 193-205
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Korelacyjny pomiar gęstości widmowej mocy szumów detektorów fotonowych do spektroskopii absorpcyjnej
Cross-correlation method for noise measurements of photodetectors used for laser absorption spectroscopy
Autorzy:
Achtenberg, Krzysztof
Mikołajczyk, Janusz
Bielecki, Zbigniew
Wojtas, Jacek
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1857073.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
szumy
detektory IR
spektroskopia absorpcyjna w podczerwieni
detektor supersieciowy
noise
infrared detectors
infrared absorption spectroscopy
superlattice detector
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów gęstości widmowej napięcia szumów detektorów fotonowych o małych rezystancjach przy użyciu specjalnie opracowanego stanowiska pomiarowego. Badania tych detektorów mają duże znaczenie dla wielu aplikacji. Są one szczególnie istotne dla układów laserowej spektroskopii absorpcyjnej do wykrywania śladowych ilości gazów. Uzyskiwana w nich granica wykrywalności jest bezpośrednio związana nie tylko z szumami źródeł promieniowania i szumem tła, lecz także z szumami detektora oraz kolejnych stopni fotoodbiornika. Zastosowanie w opracowanym systemie specjalnie zaprojektowanych ultramałoszumowych torów pomiarowych (wzmacniacze o napięciu szumów 3,6 × 10⁻¹⁹ V² /Hz dla f > 1 kHz) oraz operacji korelacji sygnałów w czasie 10 minut umożliwiło uzyskanie szumu tła poniżej 10⁻¹⁸ V² /Hz dla f > 10 Hz oraz poniżej 10⁻¹⁹ V² /Hz dla f > 1 kHz. Efektywność systemu zweryfikowano poprzez pomiary referencyjnych rezystorów, a następnie detektora z supersieci drugiego rodzaju (T2SL) wykonanego z InAs/InAsSb.
The paper presents noise measurements of low-resistance photon detectors with a specially developed system. These measurements are significant for many applications. This issue is particularly critical for laser absorption spectroscopy systems to detect trace amounts of gases. In these systems, the detection limit is determined by noise origins, e.g., light source, background, and detector noise and its readout electronics. The use of some specially designed components of the system (low-noise - 3.6 × 10⁻¹⁹ V² /Hz for f >1 kHz) cross-correlation signal processing provides to obtain a measuring floor noise below 10⁻¹⁸ V² /Hz for f > 10 Hz and below 10⁻¹⁹ V² /Hz for f > 1 kHz after ten minutes’ analysis. Measurements of some reference resistors have verified the system’s performance. Finally, the system was also applied to determine the spectral noise density of the II-Type SuperLattice photodetector made of InAs/InAsSb.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2020, 69, 4; 73-83
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Detektory podczerwieni z supersieci II rodzaju układu InAs/GaInSb
Type-II InAs/GaInSb superlattices for infrared photodetectors
Autorzy:
Gawron, W.
Rogalski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/209342.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
detektory podczerwieni
kwantowe efekty rozmiarowe
supersieci II rodzaju z InAs/GaInSb
infrared detectors
low dimensional solids
type II InAs/GaInSb superlattices
Opis:
Artykuł przedstawia stan rozwoju nowej generacji detektorów podczerwieni fotodiod z supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb. O ich fundamentalnych właściwościach decydują kwantowe efekty rozmiarowe. Ta nowa tematyka badawcza została podjęta w VIGO System S.A. w ramach realizacji zadania nr 3 programu zamawianego PBZ-MNiSW 02/I/2007. Celem tego zadania jest opracowanie i zbadanie właściwości fotodiod detektorów podczerwieni na bazie supersieci. Podstawę do konstrukcji fotodiod będą stanowić struktury z supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ-MNiSW 02/I/2007 realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.
This article presents state of the art of new generation of infrared detectors based on low dimensional solids type II InAs/GaSb superlattices for photovoltaic detectors. This new scientific program has been undertaken in VIGO System S.A. owing to realization of grant 3 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 4; 7-16
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-9 z 9

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies