Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Solar cell" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Improvement of Solar Cells Efficiency through Detailed Characterization of TCO/TiO₂ Interface
Autorzy:
Kwaśnicki, P.
Inglot, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1032416.pdf
Data publikacji:
2017-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
photovoltaic
solar cell
dye sensitized solar cell
quantum dots solar cell
TCO/TiO₂ interface
SEM
Opis:
In this work we present a detailed characterization of the interface TCO/TiO₂ layer in order to improve the final efficiency of the solar cell. High resolution SEM measurements done in cross-section configuration as well as optical measurements were performed to obtain a topographic and optical image of measured layer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 1; 179-181
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of RF Magnetron Sputtered Nickel Oxide Thin Films as an Anode Buffer Layer in a P₃HT:PCBM Bulk Hetero-Junction Solar Cells
Autorzy:
Kim, Jwayeon
Ko, Yongkyu
Park, Kyeongsoon
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1031015.pdf
Data publikacji:
2018-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
P₃HT:PCBM bulk heterojunction solar cell NiO anode buffer layer
PEDOT:PSS anode buffer layer
Opis:
Bulk heterojunction solar cells were investigated using poly(3-hexylthiophene) (P₃HT):[6,6]-phenyl-C₆₁ butyric acid methyl ester (PCBM) with a nickel oxide (NiO) anode buffer layer between the photoactive layer and an indium tin oxide (ITO) anode layer. The NiO anode buffer layer was deposited using radio frequency magnetron sputtering on an ITO electrode layer for effective hole transport and electron blocking. The NiO film is a p-type semiconductor with resistivity of 0.35 Ω cm. The power conversion efficiency was improved substantially by the NiO anode buffer layer compared to a solar cell with an anode buffer layer made from poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT):poly(styrene sulfonate) (PSS). The solar cell with a 10 nm thick NiO anode buffer layer had a power conversion efficiency of 4.71%. These results are explained by the improved charge transport across the interface between the active layer and ITO electrode.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 4; 887-891
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies