Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Zakrzewski, L." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Deep Electron Traps in CdTe:In Films Grown by Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    Żakrzewski, A. K.
    Dobaczewski, L.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1934051.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Ln
    73.61.Ga
    Opis:
    N-type indium doped CdTe grown on n$\text{}^{+}$-GaAs by molecular beam epitaxy has been studied by the standard deep level transient spectroscopy and the isothermal Laplace-transform deep level transient spectroscopy. It was found that the Cd/Te flux ratio strongly influences the deep level transient spectroscopy results. The unusual temperature dependence of the electron emission rate in films grown at nearly stoichiometric conditions may point out that the observed defect is resonant with the conduction band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 961-964
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Self-Induced Persistent Photoconductivity in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ Heterojunctions
    Autorzy:
    Van Khoi, Le
    Dobrowolski, W.
    Zakrzewski, A.
    Dobaczewski, L.
    Gałązka, R. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952039.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.25.Tn
    78.20.Ls
    72.80.Ga
    Opis:
    At temperatures lower than 200 K the photomemory effect has been observed in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ heterojunctions. The persistent photoconductivity can be achieved either by illumination from an external light source or by a self-absorption of the electroluminescence radiation when a voltage of about 10 V for a few seconds is applied to the diode. Current-voltage characteristics are of the form I~ V$\text{}^{m}$. The capacitance and electroluminescence measurements show that the photomemory effect in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$ Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ heterojunctions can be caused by the bistable nature of the In dopant in the Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ substrate. In the high resistivity interface layer and the substrate material indium forms centers similar to DX-like centers in Zn$\text{}_{x}$Cd$\text{}_{1-x}$Te and Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 883-886
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Energy Level Position of Ni and Band Offsets in Zn$\text{}_{1-x}$Cd$\text{}_{x}$Sc:Ni and ZnS$\text{}_{x}$Sc$\text{}_{1-x}$:Ni
    Autorzy:
    Surkova, T.
    Giriat, W.
    Godlewski, M.
    Kaczor, P.
    Zakrzewski, A. J.
    Permogorov, S.
    Tenishev, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1934015.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.20.Wc
    71.55.Gs
    Opis:
    Absorption and reflectivity measurements have been carried out for Zn$\text{}_{1-x}$Cd$\text{}_{x}$Se:Ni and ZnS$\text{}_{x}$Se$\text{}_{1-x}$:Ni solid solutions. Energy level positions of nickel 2+/1+ charge state have been used for estimation of band offsets for the valence and conduction bands of ZnCdSe/ZnSe and ZnSSe/ZnSe. Intra-shell transitions of Ni$\text{}^{2+}$ were also studied.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 925-928
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transmission SecondHarmonic Generation in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te at 1.064 µm
    Autorzy:
    Koziarska, B.
    Kowalczyk, L.
    Suchocki, A.
    Wojtowicz, T.
    Zakrzewski, A. K.
    Karczewski, G.
    Janik, E.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1873081.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.65.Ky
    68.70.+w
    Opis:
    Second harmonic generation, created by nanosecond Nd : YAG laser pulses at 1.064 µm with relatively low intensity in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te bulk crystals and thin layers was measured in transmission geometry. The effect practically occurs in a very thin surface layer of the material and it is used as a relatively straightforward method of layer quality characterization. It is shown that the angular dependence of the second harmonic generation intensity in thin layers of CdTe with good crystallographic (and optical) quality agrees very well with the theory in contrary to the samples with some distortions from the ideal structure which exhibits large distortions from the theory.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 423-426
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Luminescence Decay in Deep Quantum Wells CdTe/Cd_{0.5}Mn_{0.5}Te at Room Temperature
    Autorzy:
    Kowalczyk, L.
    Fancey, S.
    Buller, G.
    Massa, J.
    Kutrowski, M.
    Janik, E.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Zakrzewski, A.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1876908.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.Hf
    78.47.+p
    78.55.Et
    Opis:
    Time-resolved photoluminescence was used to study exciton recombination in deep CdTe/Cd_{0.5}Mn_{0.5}Te single quantum well. The width of the investigated well was 100 A. The study was performed at room temperature. The lifetime of the exciton determined in this work has a value comparable to that observed in shallow CdTe/Cd_{0.85}Mn_{0.15}Te quantum wells. A strong enhancement of the photoluminescence decay time with increasing intensity of the exciting laser beam is observed which is indicative of saturation of the non-radiative recombination centers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 508-513
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Cold Atomic Gases in Optical Lattices with Disorder
    Autorzy:
    Schulte, T.
    Drenkelforth, S.
    Kruse, J.
    Ertmer, W.
    Arlt, J. J.
    Kantian, A.
    Sanchez-Palencia, L.
    Santos, L.
    Sanpera, A.
    Sacha, K.
    Zoller, P.
    Lewenstein, M.
    Zakrzewski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2044614.pdf
    Data publikacji:
    2006-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    03.75.Kk
    03.75.Lm
    05.30.Jp
    64.60.Cn
    Opis:
    Cold atomic gases placed in optical lattices enable studies of simple condensed matter theory models with parameters that may be tuned relatively easily. When the optical potential is randomized (e.g. using laser speckle to create a random intensity distribution) one may be able to observe Anderson localization of matter waves for non-interacting bosons, the so-called Bose glass in the presence of interactions, as well as the Fermi glass or quantum spin glass for mixtures of fermions and bosons.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 109, 1; 89-99
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Schottky Junctions Based on the ALD-ZnO Thin Films for Electronic Applications
    Autorzy:
    Krajewski, T.
    Luka, G.
    Smertenko, P.
    Zakrzewski, A.
    Dybko, K.
    Jakiela, R.
    Wachnicki, L.
    Gieraltowska, S.
    Witkowski, B.
    Godlewski, M.
    Guziewicz, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492501.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.ag
    73.50.-h
    73.50.Bk
    73.61.Ga
    81.15.-z
    81.15.Gh
    Opis:
    The ZnO-based Schottky diodes revealing a high rectification ratio may be used in many electronic devices. This paper demonstrates several approaches to obtain a ZnO-based Schottky junction with a high rectification ratio. The authors tested several methods such as: post-growth annealing of the ZnO layer, acceptor (nitrogen) doping, as well as the ZnO surface coating with a properly chosen dielectric material. The influence of these approaches on the diode's rectification ratio together with modeling based on the differential approach and thermionic emission theory are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-017-A-021
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies