Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Xue, J" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Theoretical Studies of ESR Parameters and Local Lattice Structure of the Vanadate-Lithium-Borate Glasses
Autorzy:
Feng, W.
Zhao, M.
Li, T.
Zhang, X.
Xue, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1419845.pdf
Data publikacji:
2012-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.70.Ch
75.10.Dg
61.72.Bb
76.30.Fc
Opis:
Electron spin resonance spectral parameters of $V^{4+}$ ions in vanadate-lithium-borate glasses have been calculated by the crystal-field theory. The theoretical results are $g_{∥ }$ = 1.940, $g_{⊥}$ = 1.983 and $A_{∥ } = -175 \times 10^{-4} cm^{-1},$ $A_{⊥} = -65 \times 10^{-4} cm^{-1}$ which are good agreement with the experimental values ($g_{∥ }$ = 1.939(3), $g_{⊥}$ = 1.998(3) and $A_{∥ } = (170.6-176.4) \times 10^{-4} cm^{-1},$ $A_{⊥} = (61.3-71.4) \times 10^{-4} cm^{-1}$). In addition, the bond lengths of the local lattice structure are, respectively, $R_{∥ }$ = 1.5 Å and $R_{⊥}$ = 1.95 Å which have been shown to have a compressed tetrahedral geometry along the $C_4$ axis.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 1; 167-169
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Growth of β-$Ga_2O_3$ Nanorods and Photoluminescence Properties
Autorzy:
Zhang,, S.
Zhuang, H.
Xue, C.
Li, B.
Shen, J.
Wang, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1814023.pdf
Data publikacji:
2007-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.65.-k
79.60.Jv
81.15.Cd
Opis:
β-$Ga_2O_3$ nanorods were successfully fabricated through annealing $Ga_2O_3$/Mo films deposited on the Si (111) substrate by radio frequency magnetron sputtering technique. The morphology and structure of the as-synthesized nanorods were characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, and energy dispersive X-rays spectroscopy. The results show that the formed nanorods are single-crystalline $Ga_2O_3$ with monoclinic structure. The diameters of nanorods are 200 nm and lengths typically up to several micrometers. A photoluminescence spectrum at room temperature under excitation at 325 nm exhibits two strong blue-light peaks located at about 413.0 nm and 437.5 nm, attributed to the recombination of bound electron-hole exciton in β-$Ga_2O_3$ single crystal. The growth process of the β-$Ga_2O_3$ nanorods is probably dominated by conventional vapor-solid mechanism.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 6; 1195-1201
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fabrication of High-Density GaN Nanowires through Ammoniating $Ga_2O_3//Nb$ Films
Autorzy:
Zhuang, H.
Li, B.
Zhang, S.
Zhang, X.
Xue, Ch.
Wang, D.
Shen, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813498.pdf
Data publikacji:
2008-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.65.-k
81.05.Ea
81.15.Cd
Opis:
High-density GaN nanowires were successfully synthesized on Si(111) substrates through ammoniating $Ga_2O_3//Nb$ films under flowing ammonia atmosphere at 950°C. The as-synthesized GaN nanowires are characterized by X-ray diffraction, selected-area-electron diffraction, Fourier transform infrared, scanning electron microscopy, and field-emission transmission electron microscopy. The results show that the synthesized nanowires are single-crystal hexagonal wurtzite GaN with diameters ranging from 30 to 100 nm and lengths up to several microns. The photoluminescence spectra measured at room temperature only exhibit a strong and broad emission peak at 367.8 nm. Finally, the growth mechanism of GaN nanowires is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 2; 723-730
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies