Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Sarzyński, R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Application of Hyperfine Interactions to Surface Investigations
    Autorzy:
    Budzyński, M.
    Sarzyński, J.
    Wasiewicz, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929322.pdf
    Data publikacji:
    1993-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    63.35.-p
    76.80.+y
    76.60.-k
    Opis:
    In this article the principles of measurements of hyperfine interaction parameters at a given depth in a sample are presented. The advantages and the limitations of the Mössbauer spectroscopy, perturbed angular correlations and nuclear magnetic resonance are described.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 5; 643-649
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A Model of Radiative Recombination in (In,Al,Ga)N/GaN Structures with Significant Potential Fluctuations
    Autorzy:
    Dróżdż, P.
    Korona, K.
    Sarzyński, M.
    Czernecki, R.
    Skierbiszewski, C.
    Muzioł, G.
    Suski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1185815.pdf
    Data publikacji:
    2016-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.22.-f
    78.47.jd
    Opis:
    The potential fluctuations in III-nitride quantum wells lead to many effects like emission broadening and S-shape energy vs. temperature dependence. The best description of the energy dependence comes from calculations based on Gaussian density of states. However, in most of the published reports, changes of carrier lifetime with energy and temperature are not taken into account. Since experimental evidence shows that lifetime significantly depends on energy and temperature, here we propose a model that describes two basic parameters of luminescence: lifetime of carries and emission energy as a function of temperature in the case of quantum wells and layers that are characterized by potential fluctuations. Comparison of the measured energy and lifetime dependences on temperature in specially grown InGaN/GaN quantum wells and InAlGaN layer shows very good agreement with the proposed theoretical approach.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1209-1212
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies