Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Pagowska, E." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Fabrication and Properties of Amorphous Zinc Oxynitride Thin Films
Autorzy:
Kaczmarski, J.
Borysiewicz, M.
Pągowska, K.
Kamińska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398691.pdf
Data publikacji:
2016-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Gc
81.15.Cd
72.80.Ng
73.61.Jc
Opis:
Zn-O-N thin films fabricated by reactive radio frequency magnetron sputtering have been investigated for their compositional, structural, transport and optical properties. In contrast to processes in which the reaction for either the oxide or the nitride is dominant, the multireaction process yields a substantially amorphous films with the Hall mobility within the range from 15 to 80 cm²/(V s). In addition, it has been observed that the Hall mobility increases for Zn-O-N. Since it has a narrower bandgap than ZnO, it is put forward that the high mobility is due to the valence band maximum in this material lying above the trap states in the gap commonly observable in ZnO. These traps originate from oxygen vacancies and are localized at the bottom of the band gap influencing the carrier mobility.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1; 150-152
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Response of ZnO/GaN Heterostructure to Ion Irradiation
Autorzy:
Barcz, A.
Pągowska, K.
Kozubal, M.
Guziewicz, E.
Borysiewicz, M.
Dyczewski, J.
Jakieła, R.
Ratajczak, J.
Snigurenko, D.
Dynowska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402192.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.82.Fk
61.85.+p
68.35.Dv
Opis:
In this paper we report on the analysis of Al⁺-implanted ZnO/GaN bilayers in search for the damage production mechanism and possible ion mixing. 100 nm or 200 nm thick ZnO epitaxial layers were grown on GaN substrates by either sputter deposition or atomic layer deposition technique followed by adequate annealing. Ion irradiations of ZnO/GaN were carried out at room temperature using 200 keV Al⁺ ions with fluences of 2×10¹⁵ and 10¹⁶ at./cm². Unprocessed and irradiated samples were characterized by the Rutherford backscattering spectrometry in channeling geometry (RBS\c), X-ray diffraction and transmission electron microscopy. Additionally, secondary ion mass spectrometry was employed for the aforementioned samples as well as for the implanted samples subjected to further annealing. It was found that the damage distributions in ZnO/GaN differ considerably from the corresponding defect profiles in the bulk ZnO and GaN crystals, most probably due to an additional strain originating from the lattice mismatch. Amount of intermixing appears to be relatively small; apparently, efficient recombination prevents foreign atoms to relocate to large distances.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 832-835
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies