Autor: Nowak, P B - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Mobility of Ferroelectric Domains in Antimony Sulfoiodide
Autorzy:: Toroń, B.
Nowak, M.
Kępińska, M.
Szperlich, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1376000.pdf
Data publikacji:: 2014-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 77.80.-e
77.80.Dj
77.80.B-
81.05.Hd
Opis:: Different optical energy gaps in ferroelectric and paraelectric phases as well as light scattering on domain walls allow to observe ferroelectric domains in antimony sulfoiodide (SbSI) near the Curie temperature. Mobility 8.11(44)× $10^{-8}$ $m^2$/(Vs) of ferroelectric domain walls under external electric field has been determined along c-axis of SbSI single crystals using optical transmittance microscopy.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1093-1095
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Dielectric Properties of SbSI in the Temperature Range of 292-475 K
Autorzy:: Starczewska, A.
Solecka, B.
Nowak, M.
Szperlich, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1376063.pdf
Data publikacji:: 2014-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 77.80.Bg
78.40.Fy
Opis:: Methodology of impedance measurements and ferroelectric hysteresis loops observed in temperature range 292-475 K for antimony sulfoiodide (SbSI) grown from vapour phase are discussed. Temperature dependences of spontaneous polarization and coercive field of SbSI crystals are presented.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1125-1127
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Properties of Sonochemically Prepared $CuIn_{x}Ga_{1-x}S_{2}$ and $CuIn_{x}Ga_{1-x}Se_{2}$
Autorzy:: Jesionek, M.
Nowak, M.
Szperlich, P.
Kępińska, M.
Mistewicz, K.
Toroń, B.
Stróż, D.
Szala, J.
Rzychoń, T.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1376056.pdf
Data publikacji:: 2014-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 43.35.Ei
72.20.Jv
72.40.+w
81.07.Bc
Opis:: Nanoparticles of chalcopyrites copper indium gallium sulfide ($CuIn_{x}Ga_{1-x}S_{2}$ or CIGS) and copper indium gallium selenide ($CuIn_{x}Ga_{1-x}Se_{2}$ or CIGSe) were fabricated sonochemically. They were characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, energy dispersive X-ray spectroscopy, high resolution transmission electron microscopy, selected area electron diffraction, and diffuse reflectance spectroscopy. The electrical and photoelectrical properties of the fabricated nanomaterials were investigated.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1107-1109
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Blue Laser on High N$\text{}_{2}$ Pressure-Grown Bulk GaN
Autorzy:: Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Krukowski, S.
Łucznik, B.
Wróblewski, M.
Weyher, J.
Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Czernecki, R.
Lehnert, J.
Nowak, G.
Perlin, P.
Teisseyre, H.
Purgał, W.
Krupczyński, W.
Suski, T.
Dmowski, L.
Litwin-Staszewska, E.
Skierbiszewski, C.
Łepkowski, S.
Porowski, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2030423.pdf
Data publikacji:: 2001-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Opis:: In this note we report briefly on the details of pulsed-current operated "blue" laser diode, constructed in our laboratories, which utilizes bulk GaN substrate. As described in Ref. [1] the substrate GaN crystal was grown by HNPSG method, and the laser structure was deposited on the conducting substrate by MOCVD techniques (for the details see Sec. 2 and Sec. 4 of Ref.~[1], respectively).
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 229-232
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja