Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Meyer, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy of Semiconductor Surfaces
Autorzy:
Feenstra, R. M.
Meyer, G.
Moresco, F.
Rieder, K. H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036889.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Hb
71.20.Nr
68.37.Ef
Opis:
Low-temperature scanning tunneling spectroscopy measurements on semiconductor surface are described. We consider both surfaces which do not possess surface states within the bulk bandgap, such as GaAs(110), and surfaces which do have states within the gap, such as Ge(111) 2×1 and Ge(111)c(2×8). Band bending in the semiconductor due to the electric field in the vacuum penetrating the semiconductor is found to be a substantial effect in the former case. Transport limitations in the semiconductor give rise to additional voltage drops, which can be observed by making measurements over a wide range of tunnel current magnitudes.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 104, 3-4; 205-216
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Compensation Models in Chlorine Doped CdTe Based on Positron Annihilation and Photoluminescence Spectroscopy
Autorzy:
Stadler, W.
Hofmann, D. M.
Meyer, B. K.
Krause-Rehberg, R.
Polity, A.
Abgarjan, Th.
Salk, M.
Benz, K. W.
Azoulay, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934007.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
78.70.Bj
78.55.Et
Opis:
In this investigation positron annihilation, photoluminescence and electron paramagnetic resonance techniques are employed to gain insight in the compensation of CdTe doped with the halogen Cl. We will demonstrate that the high resistivity of CdTe:Cl cannot be explained by the interaction between the shallow effective mass type donor Cl on Te site and the doping induced shallow acceptor complex, a Cd vacancy paired off with a nearest-neighbour Cl atom (A centre). From electron paramagnetic resonance investigations we conclude that the mid gap trap, often detected by electrical methods in CdTe, is not the isolated Cd vacancy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 921-924
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Far-Infrared Magneto-Optical Studies of HgTe-CdTe Superlattices in the Semimetallic Regime
Autorzy:
Wojtowicz, T.
Dobrowolska, M.
Furdyna, J.K.
Meyer, J. R.
Bartoli, F. J.
Hoffman, C. A.
Ram-Mohan, L. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1888086.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.65.Fa
78.30.Fs
Opis:
We review recent magneto-optical investigations performed on HgTe-CdTe semimetallic superlattices. Far infrared magnetotransmission data obtained as a function of temperature, photon energy, and sense of circular polarization are compared with the predictions of a comprehensive new theory which fully incorporates the complexities of type-III superlattice band structure. It is found that the theory accounts for nearly all of the many unusual features which have been observed experimentally. These include the occurrence of two cyclotron resonances due to holes; the coexistence of electron and hole cyclotron resonances in the low temperature limit; the observation of three distinct CRA minima; a step-like change in the temperature dependence of the electron cyclotron mass; and a dramatic increase of the CRI absorption peak intensity with increasing magnetic field.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 245-254
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies