Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ling, Y." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Solutions of One-Dimensional Effective Mass Schrödinger Equation for PT-Symmetric Scarf Potential
Autorzy:
Zhang, A.
Shi, P.
Ling, Y.
Hua, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492765.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
03.65.Fd
03.65.Ge
03.65.-w
Opis:
The one-dimensional effective mass Schrödinger equation for PT-symmetric Scarf potential is investigated. The analytical expressions of energy eigenvalue and corresponding wave function are presented. They are accomplished by using an appropriate coordinate transformation to map the transformed exactly solvable one-dimensional Schrödinger equation with constant mass into the position-dependent mass equation. In the computation, three different forms of mass distributions are considered.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6; 987-991
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Annealing Study of Al/GaSb Contact with the Use of Doppler Broadening Technique
Autorzy:
Wang, H. Y.
Weng, H. M.
Ling, C. C.
Ye, B. J.
Zhou, X. Y.
Han, R. D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043365.pdf
Data publikacji:
2005-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.70.Bj
68.35.Ct
73.40.Sx
Opis:
Using a monoenergetic positron beam, annealing study of the Al/n-GaSb system was performed by monitoring the Doppler broadening of the annihilation radiation as a function of the positron implanting energy. The S-parameter against positron energy data was successfully fitted by a three-layer model (Al/interface/GaSb). The annealing out of the open volume defects in the polycrystalline Al layer was revealed by the decrease in the S-parameter and the increase in the effective diffusion length of the Al layer. For the as-deposited samples, a 5 nm interfacial region with S-parameter larger than those of the Al overlayer and the bulk was identified. After the 400ºC annealing, this interfacial region extends to over 40 nm and its S-parameter dramatically drops. This is possibly due to the new phase formation at the interface. Annealing behaviors of S$\text{}_{B}$ and L$\text{}_{+,B}$ of the GaSb bulk showed the annealing out of positron traps (possibly the V$\text{}_{Ga}$-related defect) at 250ºC. However, a further annealing at 400ºC induces the formation of positron traps, which are possibly of another kind of V$\text{}_{Ga}$-related defect and the positron shallow trap GaSb antisite.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 5; 874-879
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies