Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kwiatkowski, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    Mechanism of Thermal Interaction of In with GaAs
    Autorzy:
    Barcz, A.
    Adamczewska, J.
    Baranowski, J. M.
    Kwiatkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929763.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    General behavior of In/GaAs couple heat-treated at 570°C for 2 hours was studied with secondary-ion-mass spectrometry, scanning electron microscopy, Rutherford backscattering spectroscopy and Nomarski microscopy. It is shown that, besides the well-known InGaAs crystallites which epitaxially grow upon dissolution of the substrate, In interacts with the substrate dislocations to form In(Ga)As dendrites. The driving force for this process is presumably excess arsenic reported to be present in the vicinity of the individual dislocations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 801-803
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dual Role of TiN Reaction Barrier in Gold Based Metallization to GaAs
    Autorzy:
    Piotrowska, A.
    Kamińska, E.
    Guziewicz, M.
    Adamczewska, J.
    Kwiatkowski, S.
    Turos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923915.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    Reactively sputtered TiN films were evaluated as annealing cap improving the formation of Au(Zn) ohmic contact and as antidiffusion barrier protecting contact metallization and underlying GaAs against reaction with Au overlayers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 857-860
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    MnAs Nanocrystals Embedded in GaAs
    Autorzy:
    Kwiatkowski, A.
    Wasik, D.
    Kamińska, M.
    Twardowski, A.
    Dłużewski, P.
    Borysiuk, J.
    Sadowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811951.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.-g
    75.75.+a
    Opis:
    Magnetic properties of MnAs nanocrystals embedded in GaAs are analyzed in the frame of phenomenological model proposed by Sasaki for ferritin superparamagnets. Our calculations explain qualitatively experimental data of magnetization versus temperature, obtained according to zero-field-cooled and field-cooled protocols. They show dynamics of magnetization of MnAs nanocrystals in range of temperature from 10 K to 320 K. There is transition from state in which very slow dynamics is observed (frozen state) to state in which dynamics is fast (quasi-superparamagnetic state).
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1207-1211
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    MnAs Nanocrystals Embedded in GaAs
    Autorzy:
    Kwiatkowski, A.
    Borysiuk, J.
    Bożek, R.
    Wasik, D.
    Kamińska, M.
    Sadowski, J.
    Twardowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2046925.pdf
    Data publikacji:
    2006-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.46.+w
    61.82.Fk
    68.37.Rt
    68.37.Lp
    74.25.Ha
    Opis:
    We report on cross-sectional transmission electron microscopy and magnetic force microscopy studies performed on self-organized MnAs nanoclusters embedded in GaAs. It was found that 10÷20 nm large MnAs ferromagnetic nanocrystals were formed during rapid thermal annealing of Ga$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$As layers at 600ºC, leading to magnetic contrasts in magnetic force microscopy images.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 233-236
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Shallow Ohmic Contact System to n-GaAs
    Autorzy:
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Piotrowski, T. T.
    Barcz, A.
    Guziewicz, M.
    Adamczewska, J.
    Kwiatkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929764.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    Low resistance (Au)GeNi ohmic contacts to n-GaAs with smooth morphology and restricted penetration into the substrate have been fabricated. Rapid thermally nitrided tungsten has been demonstrated to be an effective capping layer during the contact processing.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 804-806
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    GaN Layers Grown by Reactive Ion Plating
    Autorzy:
    Żubka, A.
    Dwiliński, R.
    Suchanek, B.
    Janik, W.
    Wysmołek, A.
    Kwiatkowski, S.
    Kamińska, M.
    Shaginyan, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1943889.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Jj
    68.55.Gi
    Opis:
    GaN layers grown on ceramics, sapphire or SiC substrates using reactive ion plating method are presented. In reactive ion plating method gallium from a hot source reacts on a heated substrate with nitrogen partially ionized. Rutherford backscattering technique was applied to check the composition of the samples and gallium to nitrogen ratio was found to be close to one. However, Rutherford backscattering studies showed also a remarkable amount of unintentional impurities present in the layers. The structure of GaN was determined using reflection high-energy electron diffraction. It appeared that polycrystal and monocrystal can be grown, depending on growth conditions. Absorption spectra taken on the layers grown on sapphire showed a tail of band to band absorption starting at about 370 nm. Carrier concentration was of the order of 1019-1020 cm$\text{}^{-3}$ at room temperature and did not change much with temperature decrease. No luminescence from the layers was detected, most probably due to high concentration of impurities.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 1058-1062
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ohmic Contacts To GaN by Solid-Phase Regrowth
    Autorzy:
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Barcz, A.
    Ilka, L.
    Guziewicz, M.
    Kasjaniuk, S.
    Dynowska, E.
    Kwiatkowski, S.
    Bremser, M. D.
    Davis, R. F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968123.pdf
    Data publikacji:
    1997-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    73.40.Cg
    Opis:
    Ni/Si-based contact schemes based on the solid-phase regrowth process have been developed to form low-resistance ohmic contacts to GaN with a minimum contact resistivity of 1×10$\text{}^{-3}$ Ωcm$\text{}^{2}$ and ≈1×10$\text{}^{-2}$ Ωcm$\text{}^{2}$ to GaN:Si (n ≈ 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$) and GaN:Mg (p ≈ 3×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$). The solid-phase regrowth process responsible for the ohmic contact formation was studied using X-ray diffraction, secondary ion mass spectrometry and Rutherford backscattering spectrometry.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 819-823
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Interaction of Au with GaSb and its Impact on the Formation of Ohmic Contacts
    Autorzy:
    Piotrowska, A.
    Kamińska, E.
    Piotrowski, T.
    Kasjaniuk, S.
    Guziewicz, M.
    Gierlotka, S.
    Lin, X. W.
    Liliental-Weber, Z.
    Washburn, J.
    Kwiatkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1873078.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    Interfacial reactions between GaSb and Au were studied by Rutherford backscattering, X-ray diffraction, and cross-sectional transmission electron microscopy. Evaluation of the extent to which the GaSb substrate decomposes was of primary concern. The results give evidence that the reaction takes place even at temperatures as low as 180°C. High reactivity of gold towards GaSb revealed by this study demonstrates that Au-based metallization is not a good candidate for device quality ohmic contacts to GaSb-based devices.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 419-422
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical and Structural Properties of Ohmic Contacts to n-Type and High Resistivity CdTe
    Autorzy:
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Guziewicz, M.
    Gierlotka, S.
    Papis, E.
    Łusakowski, J.
    Szadkowski, K.
    Kwiatkowski, S.
    Dietl, T.
    Grabecki, G.
    Jaroszyński, J.
    Karczewski, G.
    Zakrzewski, A. K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1873052.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    The interaction between CdTe and In during the formation of an ohmic contact has been investigated. Emphasis is placed on the study of the effect of thermally induced sublimation of cadmium on electrical properties of contacts. Presented results prove the effectiveness of cap annealing and rapid thermal processing in fabrication of improved ohmic contacts with limited Cd losses during the contacting procedure.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 411-414
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies