Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Jasik, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
LT-InGaAs Layer Grown for Near Surface SESAM Application
Autorzy:
Jasik, A.
Muszalski, J.
Kosmala, M.
Pierściński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807666.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.jj
68.55.ag
68.65.Ac
81.15.Hi
81.65.Rv
Opis:
We have developed a mode-locked diode-pumped Yb:KYW laser generating nearly band-width limited pulses as short as 101 fs using semiconductor saturable absorber mirror (SESAM). With the nonsaturable losses of 1.94% and the modulation depth of 1.48% the self-starting and stable mode-locking was observed. The nonsaturable losses are mainly related to As_{Ga}^{0}-CB transitions in InGaAs QW absorbing layer and low temperature defects. Low temperature defects are eliminated by using higher growth temperature and lower ratio of group V to group III beam equivalent pressure than typically used. The InGaAs layer was grown by molecular beam epitaxy at the temperature as high as 420°C, under the V/III ratio as low as 10. No annealing was performed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-56-S-59
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies