Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Han, J.-H." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    A Study on Discharge Characteristics by Using MF and RF Power in Remote Dielectric Barrier Discharge
    Autorzy:
    Kim, D.
    Shim, Y.
    Kim, H.
    Han, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1398758.pdf
    Data publikacji:
    2016-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    52.77.Bn
    Opis:
    We have developed an atmospheric pressure plasma apparatus of remote dielectric barrier discharge (RDBD) applicable for a large area. We have systematically studied the characteristics of medium frequency (MF, 40 kHz) and radio frequency (RF, 13.56 MHz) discharge using an optical emission spectroscope. Nitrogen (N₂) and argon (Ar) gases were used in the MF and RF discharge excitation, respectively, in a mixture with clean dry air (CDA). The peak of oxygen radical (O*₂) appears at 259.3 nm when the RDBD is employed. Furthermore, intensive peaks are observed at gas ratios of N₂:CDA=100:1 in MF excitation and at gas ratios of Ar:CDA=70:0.5 in RF discharge excitation. On the other hand, the contact angle shows about 5° in PET samples after the RDBD treatment using the RF and MF discharge excitation. Surface analyses of polyethylene terephthalate (PET) samples were carried out using an atomic force microscope and X-ray photoelectron spectroscope.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 4; 707-710
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fabrication of Antireflection Structures as a Protective Layer of Solar Cells with Nanoporous Silica Films and Nanoimprinted Moth-Eye Structure
    Autorzy:
    Kim, K.
    Han, J.
    Jang, J.
    Choi, C.
    Choi, S.
    Kim, C.
    Kye, H.
    Cheong, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492625.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.46.-w
    68.37.-d
    68.55.-a
    78.20.-e
    Opis:
    The antireflection structures are fabricated by sol-gel process as a protective layer of solar cells and by hot embossing process with anodized aluminum oxide membrane template on polycarbonate film. The optical properties and morphology of the antireflection structures are analyzed by UV-visible spectroscopy and field emission scanning electron microscopy, respectively. The total conversion efficiency of a polycrystalline Si solar cell module with the protective layer, sol-gel-derived nanoporous antireflection structure, is increased by 2.6% and 5.7% for one-side antireflection coated prismatic matt glass and both-side antireflection coated prismatic matt glass, respectively.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-047-A-049
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Annealing Study of Al/GaSb Contact with the Use of Doppler Broadening Technique
    Autorzy:
    Wang, H. Y.
    Weng, H. M.
    Ling, C. C.
    Ye, B. J.
    Zhou, X. Y.
    Han, R. D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2043365.pdf
    Data publikacji:
    2005-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.70.Bj
    68.35.Ct
    73.40.Sx
    Opis:
    Using a monoenergetic positron beam, annealing study of the Al/n-GaSb system was performed by monitoring the Doppler broadening of the annihilation radiation as a function of the positron implanting energy. The S-parameter against positron energy data was successfully fitted by a three-layer model (Al/interface/GaSb). The annealing out of the open volume defects in the polycrystalline Al layer was revealed by the decrease in the S-parameter and the increase in the effective diffusion length of the Al layer. For the as-deposited samples, a 5 nm interfacial region with S-parameter larger than those of the Al overlayer and the bulk was identified. After the 400ºC annealing, this interfacial region extends to over 40 nm and its S-parameter dramatically drops. This is possibly due to the new phase formation at the interface. Annealing behaviors of S$\text{}_{B}$ and L$\text{}_{+,B}$ of the GaSb bulk showed the annealing out of positron traps (possibly the V$\text{}_{Ga}$-related defect) at 250ºC. However, a further annealing at 400ºC induces the formation of positron traps, which are possibly of another kind of V$\text{}_{Ga}$-related defect and the positron shallow trap GaSb antisite.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 5; 874-879
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies