Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Fischer, F." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Development of CdTe/Cd$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Te Double Barrier, Single Quantum Well Heterostructures for Resonant Tunneling
    Autorzy:
    Reuscher, G.
    Keim, M.
    Fischer, F.
    Waag, A.
    Landwehr, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933964.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.20.Dx
    73.61.Ga
    Opis:
    We report the first observation of resonant tunneling through a CdTe/Cd$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Te double barrier, single quantum well heterostructure. Negative differential resistance is observable at temperatures below 230 K, exhibiting a peak to valley ratio of 3:1 at 4.2 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 885-888
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optically Detected SdH Oscillations in CdTe/(CdMg)Te and CdTe/(CdMnMg)Te Modulation Doped Quantum Wells
    Autorzy:
    Shen, J. X.
    Ossau, W.
    Fischer, F.
    Waag, A.
    Landwehr, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1943817.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Et
    Opis:
    Oscillations of photoluminescence properties in external magnetic fields are investigated in CdTe modulation doped quantum wells. The oscillatory behaviour of the luminescence intensity, the line width and the g factor is due to many-body effects in the 2-dimensional electron gas. The oscillation of photoluminescence intensity can be easily used as optically detected Shubnikov de Haas effect to determine the electron concentration in quantum wells without contacts.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 1033-1037
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Doping of the Wide-Gap Semiconductor Cd$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Te During Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    Fischer, F.
    Litz, Th.
    Waag, A.
    Heinke, H.
    Scholl, S.
    Gerschütz, J.
    Landwehr, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1876265.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Bd
    Opis:
    We investigated the n-type doping of the wide-gap II-VI semiconductor (CdMg)Te. The n-type doping of (CdMg)Te has previously been achieved in only a small range of magnesium concentration. By the use of zinc iodine as dopant source material, we obtained highly doped (CdMg)Te layers up to a magnesium concentration of 40%. The limiting factor for the free carrier concentration at room temperature is the occurrence of a deep level, which dominates the electrical properties at room temperature of layers with more than 30% magnesium. Compensating defects or defect complexes are considered, to explain the observed properties of the deep level, which do not seem to be characteristic of an isolated donor state.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 487-491
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Anisotropy of ZnSe/BeTe Superlattices Probed by Excitonic Spectroscopy
    Autorzy:
    Platonov, A. V.
    Kochereshko, V. P.
    Ivchenko, E. L.
    Yakovlev, D.
    Ossau, W.
    Fischer, F.
    Waag, A.
    Landwehr, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1992063.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Et
    78.66.-w
    78.66.Hf
    Opis:
    Photoluminescence spectra of type-II ZnSe/BeTe superlattices were studied. A linear polarised photoluminescence has been found in the spectral range of spatially indirect exciton transitions. This observation is interpreted in a model of optical anisotropy of heterostructures with no-common atom at interfaces.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 479-482
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Exciton States in Type-II ZnSe/BeTe Quantum Wells
    Autorzy:
    Platonov, A. V.
    Yakovlev, D. R.
    Zehnder, U.
    Kochereshko, V. P.
    Ossau, W.
    Fischer, F.
    Litz, Th.
    Waag, A.
    Landwehr, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968413.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.20.Ls
    78.66.Hf
    Opis:
    We present an optical investigation of novel heterostructures based on beryllium chalcogenides with a type-I and type-II band alignment. In the type-II quantum well structures (ZnSe/BeTe) we observed a strong exciton transition involving an electron confined in the conduction band well and a hole localized in the valence band barrier (both in ZnSe layer). This transition is drastically broadened by the temperature increase due to enhanced exciton-acoustic phonon interaction.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 953-957
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of Hydrogen on the Electronic Properties of GaAs$\text{}_{1-y}$N$\text{}_{y}$ Heterostructures
    Autorzy:
    Bissiri, M.
    Gaspari, V.
    Baldassarri H. v. H., G.
    Ranalli, F.
    Polimeni, A.
    Capizzi, M.
    Nucara, A.
    Geddo, M.
    Fischer, M.
    Reinhardt, M.
    Forchel, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2028796.pdf
    Data publikacji:
    2001-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.Fd
    71.55.Eq
    78.55.Cr
    Opis:
    We have performed photoluminescence measurements in order to study the optical properties of hydrogenated GaAs$\text{}_{1-y}$N$\text{}_{y}$/GaAs heterostructures for y ranging from 0 to 0.03. Hydrogen irradiation leads to: (i) a progressive passivation of N-related recombination lines for low N content (y≈ 0.001); (ii) a sizable blue shift of the band gap in the "alloy" limit (y≈0.01). Thermal annealing restores the optical properties samples had before hydrogenation. These results can be accounted for by the formation of N$\text{}^{-}$ -H$\text{}^{+}$ complexes and demonstrate that hydrogen irradiation provides a powerful tool for the analysis of photoluminescence spectra of GaAs$\text{}_{1-y}$N$\text{}_{y}$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 365-371
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hydrogen Tuning of (InGa)(AsN) Optical Properties
    Autorzy:
    Baldassarri H. v. H., G.
    Ranalli, F.
    Bissiri, M.
    Gaspari, V.
    Polimeni, A.
    Capizzi, M.
    Nucara, A.
    Geddo, M.
    Fischer, M.
    Reinhardt, M.
    Forchel, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2028813.pdf
    Data publikacji:
    2001-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.Fd
    71.55.Eq
    78.55.Cr
    Opis:
    The effects of atomic hydrogen irradiation on the optical properties of (InGa)(AsN) single quantum wells investigated by means of photoluminescence spectroscopy. For increasing hydrogen dose, the photoluminescence band peak energy of each nitrogen-containing sample blue-shifts and for high hydrogen dose it reaches that of a corresponding nitrogen-free reference sample. This effect is accompanied by a broadening of the photoluminescence band line width and by a decrease in the photoluminescence efficiency. Thermal annealing at 550ºC fully restores the original band gap value and the photoluminescence line width of the sample before hydrogenation. An interpretation of these phenomena is proposed in terms of an H perturbation of the charge distribution around the strongly electronegative N atoms, leading most likely to the formation of H-N complexes, and to an ensuing electronic passivation of nitrogen.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 373-378
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies