Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Brzozowski, B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Visible Luminescence from Porous Silicon
Autorzy:
Bała, W.
Firszt, F.
Nossarzewska-Orłowska, E.
Brzozowski, A.
Orłowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929748.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
Opis:
This paper presents results of investigation of the temperature dependence of visible luminescence in porous silicon layers prepared by anodization in hydrofluoric acid. Luminescence spectra were measured in the temperature range between 40 K and 350 K. Room temperature reflectivity spectra were also measured in vacuum ultraviolet radiation range from 4 eV to 12 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 761-764
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Sputtering and Implantation of VV-6025X Surface with Slow Heavy Ions Monitored with PIXE
Autorzy:
Antoszewska, M.
Balcerski, J.
Brzozowski, R.
Dolecki, K.
Frątczak, E.
Gwizdałła, T.
Pawłowski, B.
Moneta, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1367499.pdf
Data publikacji:
2014-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
34.35.+a
61.80.Lj
Opis:
In this work the characteristic radiation, emitted during interaction of medium energy (200 keV) ambient heavy ions (Ar) with $Fe_{4}Co_{66}Si_{12}B_{14}Nb_{1}Mo_{2}Cu_{1}$ (VV-6025X) amorphous alloy, was measured in grazing incident-exit angle geometry and in time sequence, in order to determine dynamics of formation of subsurface region, damaged through implantation, sputtering and interface mixing. It was shown that structure and composition of surface is unstable against heavy ions irradiation due to preferential sputtering and implantation of ions, and recoils, and that the dynamics of such modification can be monitored in-situ with particle induced X-ray emission (PIXE) method.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 1; 136-137
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies