Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Babiński, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Acceptor-Like Level of the EL2 Defect in its Metastable Configuration
    Autorzy:
    Dreszer, P.
    Baj, M.
    Babiński, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1879457.pdf
    Data publikacji:
    1991-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    78.50.Ge
    Opis:
    This paper presents for the first time the evident experimental confirmation that EL2 defect, while being in its metastable configuration, traps under hydrostatic pressure an additional electron, i.e. the acceptor-like (EL2*)$\text{}^{0}$ $\text{}^{/}$ $\text{}^{-}$ level enters the energy gap under pressure. We propose that in n-GaAs the EL2 thermal recovery takes always place via the (EL2*)$\text{}^{-}$ state.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 1; 129-132
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dynamics of Photoexcited Carriers in GaInAs/GaAs Quantum Dots
    Autorzy:
    Ilczuk, E.
    Korona, K. P.
    Babiński, A.
    Kuhl, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2028722.pdf
    Data publikacji:
    2001-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.40.+w
    78.47.+p
    78.67.-n
    Opis:
    We present photocurrent and time-resolved photoluminescence investigations of AlGaAs/GaInAs/GaAs structures containing GaInAs/GaAs self-assembled quantum dots. The high electrical field in those devices significantly influences carrier dynamics. The photocurrent spectra show a double peak with maxima at 1.40 and 1.47 eV (at 80 K). These maxima are due to the GaInAs wetting layer (higher) and the quantum dots (lower). The photoluminescence spectra comprise weak excitonic luminescence from GaAs at 1.504 eV (at 80 K) and stronger and broad emission from the Ga$\text{}_{0.4}$In$\text{}_{0.6}$As quantum dots. At 300 K, the quantum dots emission has a lifetime of 1.1 ns and has a maximum at an energy of 1.38 eV. By analysis of both experiments, we can separate the influence of different radiative and nonradiative recombination processes. So, the tunneling rate: r$\text{}_{T}$=0.5 ns$\text{}^{-1}$ and the radiative recombination rate in the quantum dots: r$\text{}_{RQD}$=0.4 ns$\text{}^{-1}$ have been determined. The high tunneling probability (due to the influence of the built-in electric field) reveals that the tunneling effect is important for the recombination and transport processes in our structures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 379-386
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dynamics of Excitation Transfer Inside InAs/GaAs Quantum Dot System
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Babiński, A.
    Raymond, S.
    Wasilewski, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2046919.pdf
    Data publikacji:
    2006-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.47.+p
    72.20.Jv
    78.67.Hc
    78.55.Cr
    Opis:
    We present time-resolved photoluminescence investigations of InAs/GaAs structures containing quantum dots with the ground state at 1.43 eV. State filling effect and a Pauli blocking effect were clearly observed. These effects significantly influenced dynamics of excitation transfer from upper to lower state inside a dot leading to non-exponential dynamics. Numerical model based on nonlinear rate equations was proposed. The model described well the experimental data providing values of: lifetime of the ground state 0.53±0.03 ns, lifetime of excited state (when the ground state is full) 1.1±0.2 ns, and internal relaxation time (when the ground state is empty) 0.07±0.01 ns.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 219-224
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hydrostatic-Pressure Deep Level Transient Spectroscopy Study of the Heteroantisite Antimony Level in GaAs
    Autorzy:
    Babiński, A.
    Przybytek, J.
    Baj, M.
    Omling, P.
    Samuelson, L.
    Słupiński, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923855.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    62.50.-p
    Opis:
    We present some preliminary results of the first hydrostatic-pressure study of the electronic level related to the Sb-heteroantisite defect in GaAs. We studied two kinds of n-type GaAs samples doped with antimony: bulk samples grown by liquid encapsulated Czochralski method and thin layers grown by metalorganic chemical vapour deposition technique. We found strongly nonlinear pressure dependence of the activation energy of the emission rate for the level. Moreover, the results obtained for the bulk material were fairly different from those obtained for thin metalorganic chemical vapour deposition layers. The possible explanation of this difference is presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 841-844
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    FFirst TSC and DLTS Measurements of Low Temperature GaAs
    Autorzy:
    Muszalski, J.
    Babiński, A.
    Korona, K. P.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Kamińska, M.
    Weber, E. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1891236.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.-i
    72.80.Ey
    Opis:
    The first thermally stimulated current (TSC) and deep level transient spectroscopy (DLTS) studies performed on GaAs grown by molecular beam epitaxy (MBE) at low substrate temperatures (LT GaAs) are reported. TSC experiments, conducted on as grown and 400-580°C annealed layers showed domination of arsenic antisite (EL2-like) defect and supported its key role in hopping conductivity. DLTS studies, performed on Si doped and annealed at 800°C layers revealed substantially lower concentration of EL2-like defect and an electron trap of activation energy ΔE = 0.38 eV was found.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 413-416
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    MBE Growth and Characterization of a III-V Distributed Bragg Reflectors and InAs Quantum Dots
    Autorzy:
    Rousset, J.
    Słupinski, T.
    Jakubczyk, T.
    Kobak, J.
    Stawicki, P.
    Gołasa, K.
    Babinski, A.
    Nawrocki, M.
    Pacuski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403611.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.20.Ci
    78.67.Pt
    68.37.Hk
    Opis:
    We describe the realization and characterization of a distributed Bragg reflectors and InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy. The distributed Bragg reflectors are based on a stack of eight or twenty pairs of GaAs and AlAs layers with a stopband centered at about E_0=1.24 eV (λ_0=1000 nm). The whole structures exhibit a reflectivity coefficient above 90%. The growth rate was monitored in situ by measurement of the oscillations of the thermal emission intensity. The investigations conducted on the InAs quantum dots grown on GaAs show photoluminescence around E=1.25 eV (λ=990 nm). The combination of these two elements results in the realization of a microcavity containing InAs quantum dots and surrounded by 20 pairs of distributed Bragg reflectors.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 984-987
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Properties of Excitons in Quantum Dots with a Weak Confinement
    Autorzy:
    Gołasa, K.
    Molas, M.
    Goryca, M.
    Kazimierczuk, T.
    Smoleński, T.
    Koperski, M.
    Golnik, A.
    Kossacki, P.
    Potemski, M.
    Wasilewski, Z.
    Babiński, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399080.pdf
    Data publikacji:
    2013-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.67.Hc
    Opis:
    Statistical properties of neutral excitons, biexcitons and trions confined to natural quantum dots formed in the InAs/GaAs wetting layer are reported. The correlation of the trion binding energy and the biexciton binding energy was found. Magnetospectroscopic measurements of the excitons revealed also the correlation of excitonic effective $g^\ast $ factor of an exciton with the biexciton binding energy. The qualitative picture of the effect of quantum confinement on the observed correlations is presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 781-784
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies