Autor: Śliwiński, A. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: The Dynamics of Benzene Molecules in Liquid Carbon Tetrachloride Solution
Autorzy:: Lewandowska, D.
Trumpakaj, Z.
Śliwiński, A.
Grzywacz, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1887914.pdf
Data publikacji:: 1991-07
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 51.20.+d
33.20.Fb
35.20.Yh
Opis:: Results of the investigations of C$\text{}_{6}$H$\text{}_{6}$ and CCl$\text{}_{4}$ binary solutions by two methods: dispersion of light and viscometry, as functions of the concentration and temperature are reported.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 1; 15-21
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Deep Level Transient Spectroscopic Studies of MOCVD GaN Layers Grown on Sapphire
Autorzy:: Śliwiński, A. A.
Korona, K. P.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1952204.pdf
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
73.61.Ey
Opis:: The deep level transient spectroscopy of GaN heteroepitaxial layers grown on sapphire was studied. The samples were Mg doped during the growth. The as-grown material is n-type. It becomes p-type after annealing. The samples were measured in the temperature range from 77 K to 420 K. In n-type GaN, one peak (EG1) with activation energy 0.75 eV was detected. In p-type, at least three peaks were observed: AS1 at temperature about 300 K and AS2, AS3 at about 400 K. The dominating one is AS3. It has an activation energy about 1.1 eV.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 955-958
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Polarity Related Problems in Growth of GaN Homoepitaxial Layers
Autorzy:: Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Śliwinski, A.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Beaumont, B.
Gibart, P.
Barski, A.
Langer, R.
Knap, W.
Frayssinet, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1991873.pdf
Data publikacji:: 1998-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.72.Vv
65.70.+y
Opis:: Homoepitaxial layers of GaN were grown by metalorganic chemical vapour deposition on single crystals obtained by high-pressure, high-temperature technology. For each metalorganic chemical vapour deposition run, four samples were placed, (00.1) and (00.1̲) faces of the Mg-doped insulating and undoped highly-conductive substrates. The layers were examined using X-ray diffraction, photoluminescence and far-infrared reflectivity. It was found that the (00.1̲) easier incorporates donors resulting in higher free-electron concentrations in the layers grown on these sides of the crystals, both, undoped and Mg-doped.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 427-430
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja