Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "persistent" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
Spontaneous Persistent Currents in Mesoscopic Rings
Autorzy:
Zipper, E.
Szopa, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931872.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Dx
Opis:
Persistent currents in mesoscopic systems made of a very clean metal and with nearly flat Fermi surface are studied. It is shown that the inclusion of the orbital magnetic interaction between electrons can lead to spontaneous currents (spontaneous fluxes) and to quantized flux trapping if the number of interacting electrons is large enough: The energy of the system is discussed and the self-consistent formulas for the spontaneous flux and for the quantized flux in the system is derived. The influence of the spin on the presented phenomena is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 79-84
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Persistent Currents and Bethe Ansatz
Autorzy:
Kiršanskas, G.
Matulis, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505510.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
03.65.Nk
Opis:
The system of two electrons interacting with a single impurity in 1D metallic ring is considered illustrating the applicability of the Bethe Ansatz.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 158-160
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetoresistance of n-CdTe in the "Persistent" State
Autorzy:
Kossacki, P.
Karpierz, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929742.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.40.+w
72.80.Ey
Opis:
In this paper we present results of measurements done on photoexcited carriers in high purity n-CdTe at liquid helium temperature. The photocurrent under near band gap illumination was measured, as well as the long term (≈ 15 hours) photoconductive decay after switching off the light. The transverse magnetoresistance was measured in high magnetic fields in two cases: 1) under external illumination, 2) in the "persistent" state after ≈ 15 h of photocurrent decay. It was shown that in high magnetic fields this magnetoresistance exhibits a quadratic dependence on magnetic field (Δρ/ρ ≈ B$\text{}^{2}$) in both cases.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 737-740
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hartree-Fock Simulation of Persistent Current in Rings with Single Scatterer
Autorzy:
Németh, R.
Moško, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044507.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.23.-b
73.61.Ey
Opis:
Using the self-consistent Hartree-Fock approximation for spinless electrons at zero temperature, we calculate the persistent current of the interacting electron gas in a one-dimensional ring containing a single δ barrier. Our results agree with correlated models like the Luttinger liquid model and lattice model with nearest-neighbor interaction. The persistent current is a sine-like function of magnetic flux. It decays with the ring length (L) faster than L$\text{}^{-1}$ and eventually like L$\text{}^{-α-1}$, where α>0 is universal.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 795-801
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Numerical Simulations of Glide Dislocations in Persistent Slip Band
Autorzy:
Kolář, M.
Beneš, M.
Kratochvíl, J.
Pauš, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402064.pdf
Data publikacji:
2015-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
02.70.Bf
61.72.Lk
02.30.Jr
Opis:
For the purpose of estimation of possible inaccuracy in standard discrete dislocation dynamics simulations, we study the motion of interacting dislocations in two regimes: the standard stress control and the total strain control. For demonstration of the difference, we consider two dislocations of opposite signs, gliding in parallel slip planes in a channel of a persistent slip band. Exposed to the applied stress, the dislocations move, bow out, and form a dipole. We investigate the passing stress needed for the dislocations to escape each from other, considering the stress controlled regime and the total strain controlled regime. The motion is described by the mean curvature flow and treated by means of the direct (parametric) method. The results of numerical experiments indicate that the stress control and the total strain control provide upper and lower estimate of the passing stress, respectively, and that these two estimates differ by approximately 10%.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 4; 506-509
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Self-Induced Persistent Photoconductivity in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ Heterojunctions
Autorzy:
Van Khoi, Le
Dobrowolski, W.
Zakrzewski, A.
Dobaczewski, L.
Gałązka, R. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952039.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
78.20.Ls
72.80.Ga
Opis:
At temperatures lower than 200 K the photomemory effect has been observed in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ heterojunctions. The persistent photoconductivity can be achieved either by illumination from an external light source or by a self-absorption of the electroluminescence radiation when a voltage of about 10 V for a few seconds is applied to the diode. Current-voltage characteristics are of the form I~ V$\text{}^{m}$. The capacitance and electroluminescence measurements show that the photomemory effect in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$ Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ heterojunctions can be caused by the bistable nature of the In dopant in the Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ substrate. In the high resistivity interface layer and the substrate material indium forms centers similar to DX-like centers in Zn$\text{}_{x}$Cd$\text{}_{1-x}$Te and Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 883-886
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Persistent Spin Resonance of Donor Electrons and Hopping Magnetoconductivity in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$
Autorzy:
Wojtowicz, T.
Semaltianos, N.
Kłosowski, P.
Dobrowolska, M.
Furdyna, J. K.
Miotkowski, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890647.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ls
71.25.Jd
72.20.My
Opis:
The first observation of electric dipole spin resonance of donor electrons in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ in far-infrared magnetotransmission is reported. Modification of the donor wave function due to non-diagonal exchange interaction with localized magnetic moments and to magnetic fluctuations are believed to allow this resonance. Hopping magnetoconductivity studied in the same crystals shows a behavior typical for wide gap diluted magnetic semiconductors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 287-290
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies