Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Martins, M." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Scanning-Gate Microscopy of Semiconductor Nanostructures: An Overview
Autorzy:
Martins, F.
Hackens, B.
Sellier, H.
Liu, P.
Pala, M. G.
Baltazar, S.
Desplanque, L.
Wallart, X.
Bayot, V.
Huant, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047914.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.La
73.23.Ad
03.65.Yz
85.35.Ds
Opis:
This paper presents an overview of scanning-gate microscopy applied to the imaging of electron transport through buried semiconductor nanostructures. After a brief description of the technique and of its possible artifacts, we give a summary of some of its most instructive achievements found in the literature and we present an updated review of our own research. It focuses on the imaging of GaInAs-based quantum rings both in the low magnetic field Aharonov-Bohm regime and in the high-field quantum Hall regime. In all of the given examples, we emphasize how a local-probe approach is able to shed new, or complementary, light on transport phenomena which are usually studied by means of macroscopic conductance measurements.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 569-575
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Substrate Temperature Influenced Structural and Electrical Behaviour of~RF Magnetron Sputtered $Ag_2Cu_2O_3$ Films
Autorzy:
Sreedhar, A.
Hari Prasad Reddy, M.
Uthanna, S.
Martins, R.
Elangovan, E.
Pierson, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492600.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.-b
71.15.Mb
78.20.Ci
74.25.Gz
Opis:
$Ag_2Cu_2O_3$ films were deposited on glass and silicon substrates by RF magnetron sputtering of metallic equimolar $(Ag_{50}Cu_{50})$ alloy target in $Ar-O_{2}$ mixture at different substrate temperature $(T_{s})$ ranging between 303 and 523 K. The effect of $T_{s}$ on the core level binding energies, structural and electrical properties of the films was systematically studied. The films deposited at room temperature were amorphous. The films deposited at 373 K were polycrystalline and the crystallinity was increased when the $T_{s}$ was increased to 423 K. The films deposited at 423 K and subsequently annealed at 498 K exhibits single phase $Ag_2Cu_2O_3$. In the case of films deposited at higher $T_{s}$ of 523 K, $Ag_2O$ was decomposed into Ag. The electrical resistivity of the films deposited at 303 K was $1.2 \times 10^{-5}$ Ω cm, whereas the films formed at 423 K and subsequently annealed at 498 K showed electrical resistivity of $2.2 \times 10^{-3}$ Ω cm due to improvement in the crystallinity of single phase $Ag_2Cu_2O_3$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-037-A-039
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies