Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kowalik, K." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Characterization of Self-Assembled CdTe/ZnTe Quantum Dots
Autorzy:
Kowalik, K.
Kudelski, A.
Golnik, A.
Gaj, J. A.
Karczewski, G.
Kossut, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035754.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.Hc
71.70.Ej
Opis:
We present microluminescence investigations of self-assembled CdTe/ZnTe quantum dots. The dots proprieties resulting from our studies are: values of optical in-plane anisotropy parameters (electron - heavy hole exchange splitting and orientation of anisotropy) and value of effective Lande factor. Parameters giving information about in-plane anisotropy possess random distribution of values with the exchange splitting from 0 to 240 μeV. The effective Lande factor values for our dots are around g$\text{}^{*}$=-3.2 with a scatter of about 18%. Some PL lines exhibit sudden jumps of energetic position, related to variation of the charge state in their neighborhood.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 539-544
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of an Electric Field on Fine Properties of III-V and II-VI Quantum Dots Systems
Autorzy:
Kowalik, K.
Krebs, O.
Kudelski, A.
Golnik, A.
Lemaître, A.
Senellart, P.
Karczewski, G.
Kossut, J.
Gaj, J.
Voisin, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038219.pdf
Data publikacji:
2004-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.Hc
71.70.Ej
Opis:
We investigate the influence of an electric field on the optical properties of single quantum dots. For sample made of III-V compounds micron-size electro-optical structures were produced in order to apply an electric field in the dot plane. For several individual dots lines significant variations of the anisotropic exchange splitting with the field were observed. On sample made of II-VI compounds we demonstrate the influence of electric field fluctuations on the luminescence of a single quantum dot.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 177-184
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Control of Photon Polarization in GaAs/AlAs Single Quantum Dot Emission
Autorzy:
Suffczyński, J.
Trajnerowicz, A.
Kazimierczuk, T.
Piętka, B.
Kowalik, K.
Kossacki, P.
Golnik, A.
Nawrocki, M.
Gaj, J. A.
Wysmołek, A.
Stępniewski, R.
Potemski, M.
Thierry-Mieg, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047725.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
78.66.Fd
78.67.Hc
78.47.+p
Opis:
We study polarization resolved correlation between photons emitted in cascaded biexciton-exciton recombination from a single quantum dot formed in type II GaAs/AlAs bilayer. Magnetic field induced transition from anisotropy controlled to the Zeeman controlled emission was demonstrated by a circular polarization correlation between the emitted photons. A simple model describing the effect allowed us to determine the anisotropic exchange splitting of the excitonic state. This method of the anisotropic exchange splitting determination can be useful in the case when other methods are not sensitive enough.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 461-466
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Extra-Low Temperature Growth of ZnO by Atomic Layer Deposition with Diethylzinc Precursor
Autorzy:
Kowalik, I. A.
Guziewicz, E.
Kopalko, K.
Yatsunenko, S.
Godlewski, M.
Wójcik, A.
Osinniy, V.
Krajewski, T.
Story, T.
Łusakowska, E.
Paszkowicz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047710.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:
ZnO thin films were grown on silicon substrate by atomic layer deposition method. We explored double-exchange chemical reaction and used very volatile and reactive diethylzinc as a zinc precursor. These enables us to obtain zinc oxide thin films of high quality at extremely low growth temperature (90-200ºC). The films are polycrystalline as was determined by X-ray diffraction and show flat surfaces with roughness of 1-4 nm as derived from atomic force microscopy measurements. Photoluminescence studies show that an edge emission of excitonic origin is observed even at room temperature for all investigated ZnO layers deposited with the diethylzinc precursor.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 401-406
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies