Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Dziuba, M." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Anomalous Behavior of the Hall Effect in III-V Heterostructures
    Autorzy:
    Dziuba, Z.
    Górska, M.
    Marczewski, J.
    Przesławski, T.
    Regiński, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2012953.pdf
    Data publikacji:
    2000-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Lk
    72.80.Ey
    Opis:
    The Hall effect and magnetoresistance were measured in the InAs/GaAs heterostructure at temperatures from 300 K down to 3 K, in a magnetic field range from 0.01 to 1.5 T. The anomalous magnetic field dependence of the Hall coefficient in the InAs/GaAs heterostructure in magnetic fields below 0.1 T was explained as due to an extraordinary Hall effect caused by skew scattering on dislocations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 2; 331-336
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Growth Processes of ZnTe Epilayers Deposited by MBE on GaAs(100) Vicinal Surfaces - Studies by Static and Dynamic RHEED
    Autorzy:
    Sadowski, J.
    Dziuba, Z.
    Herman, M. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1932085.pdf
    Data publikacji:
    1995-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.14.Hg
    81.15.Gh
    Opis:
    Static and dynamic reflection high energy electron diffraction (RHEED) has been applied for studying the initial growth processes of ZnTe crystallized by molecular beam epitaxy (MBE) on vicinal surfaces of GaAs(100) substrates. Atomically smooth ZnTe epilayers have been grown by MBE when in situ thermal desorption of the substrate protecting oxide layer was performed in the ultra high vacuum environment of the vacuum growth chamber just before the growth of ZnTe started. By gradual increasing of the substrate temperature of the crystallized ZnTe epilayers from 300°C to 420°C, when recording the RHEED intensity oscillations at these and eleven intermittent temperatures, it has been shown that the transition from the 2D-nucleation growth mechanism to the step-flow growth mechanism of ZnTe occurs at 410°C. Measuring periods of RHEED intensity oscillations recorded during the MBE growth processes it has been demonstrated that the growth rate of ZnTe at constant fluxes of the constituent elements decreases with increasing temperature from 0.37 ML/s at 300°C to 0.22 ML/s at 400°C.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 225-228
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies