Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Dz 3" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Properties of ZnO and Zn(Cd)O Fullerene-Like Clusters with a Shell of Diamond-Like Structure with $ \text{sp}^{2}//\text{sp}^{3}$ Bonds
Autorzy:
Ovsiannikova, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399133.pdf
Data publikacji:
2013-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.22.-f
78.55.Et
81.05.Dz
81.07.Bc
Opis:
The structural, cohesive, and electronic properties of a fullerene-like $(ZnO)_{60}$ cluster with a shell of diamond-like structure with $\text{sp}^2//\text{sp}^3$ bonds have been investigated in comparison with those of clusters differing in geometry and composed of the equal number of ZnO structural units (clusters of fullerene, onion, and coordination tetrahedron) within the framework of the electron density hybride functional method (B3LYP) with a set of 6-31G(d) split valence basis functions. The fullerene-like $(ZnO)_{60}$ cluster is used as a model in an investigation of the change in the band-gap width (the decrease in the band-gap width is ≈ 0.2 eV) in the case of the substitution of Zn atoms by Cd atoms (20% of substitution) in the ZnO matrix in ZnCdO ternary structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 862-864
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mott-Schottky Analysis of the $P3HT:ZnS_\text{cubic}$ and $P3HT:ZnS_\text{hexa}$ Bulk Heterojunction Solar Cells
Autorzy:
Abdul Kareem, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398356.pdf
Data publikacji:
2016-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
87.85.Rs
73.40.Lq
73.40.Sx
73.50.Pz
73.61.Ga
73.61.Ph
73.63.Bd
81.05.Dz
88.40.jp
88.40.jr
Opis:
Bulk heterojunction solar cells of sphalerite and wurtzite ZnS incorporated P3HT were fabricated and their Mott-Schottky analysis was performed to find the conduction mechanism of the devices. The analysis shows the formation of a Schottky junction and band unpinning at the P3HT:ZnS-Al contact and it confirms the hole conductivity in the active material.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 3; 409-413
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nanocrystalline ZnO Doped with Fe$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$ - Magnetic and Structural Properties
Autorzy:
Kuryliszyn-Kudelska, I.
Hadžić, B.
Sibera, D.
Kilanski, L.
Romčević, N.
Romčević, M.
Narkiewicz, U.
Dobrowolski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048113.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Tt
81.05.Dz
75.50.Lk
75.50.Vv
Opis:
We have studied the magnetic properties of ZnO nanocrystals doped with Fe$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$ in the magnetic dopant range from 5 to 70 wt%. The nanocrystals were synthesized by wet chemical method. The detailed structural characterization was performed by means of X-ray diffraction and micro-Raman spectroscopy measurements. The results of systematic measurements of magnetic AC susceptibility as a function of temperature and frequency are presented. We observed different types of magnetic behavior. For ZnO samples doped with low content of Fe$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$, the results of low-field AC susceptibility are satisfactorily explained by superparamagnetic model including inter-particle interactions. With the increase of magnetic Fe$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$ content, the spin-glass-like behavior is observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 689-691
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Barriers in Miniaturization of Electronic Devices and the Ways to Overcome Them - from a Planar to 3D Device Architecture
Autorzy:
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Gierałtowska, S.
Łuka, G.
Krajewski, T.
Wachnicki, Ł.
Kopalko, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807598.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.35.-p
73.40.Lq
73.40.Qv
81.05.Dz
81.15.-z
Opis:
We witness a new revolution in electronic industry - a new generation of integrated circuits uses as a gate isolator $HfO_{2}$. This high-k oxide was deposited by the atomic layer deposition technique. The atomic layer deposition, due to a high conformality of deposited films and low growth temperature, has a large potential to be widely used not only for the deposition of high-k oxides, but also of materials used in solar cells and semiconductor/organic material hybrid structures. This opens possibilities of construction of novel memory devices with 3D architecture, photovoltaic panels of the third generation and stable in time organic light emitting diodes as discussed in this work.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-19-S-21
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies