Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Binder, K." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    On Melting of Two-Dimensional Monolayer Films
    Autorzy:
    Patrykiejew, A.
    Zientarski, T.
    Binder, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1945440.pdf
    Data publikacji:
    1996-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    82.65.-i
    64.60.-i
    Opis:
    The melting of two-dimensional films formed on the (100) fcc crystal is studied by Monte Carlo simulation. The results obtained suggest that in systems with only weakly corrugated surface potential, exhibiting the hexagonal close packed solid structure, the melting transition is followed by the Ising-type transition as predicted by the theory of Nelson and Halperin. In the case of highly corrugated surface potential, the film forms registered structure which disorders gradually as the temperature is raised.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 89, 5-6; 735-742
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoluminescence Dynamics of GaN/Si Nanowires
    Autorzy:
    Korona, K.
    Zytkiewicz, Z.
    Perkowska, P.
    Borysiuk, J.
    Binder, J.
    Sobanska, M.
    Klosek, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403621.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.22.-f
    78.47.jd
    Opis:
    In this work we present analysis of carriers dynamics in samples of GaN nanowires grown on silicon. The samples exhibit bright luminescence of bulk donor-bound excitons at 3.472 eV, surface defect-bound excitons at 3.450 eV (SDX) and a broad (0.05 eV) band centered at 3.47 eV caused probably by single free exciton and bi-exciton recombination. The SDX emission has long lifetime τ = 0.6 ns at 4 K and can be observed up to 50 K. At higher temperatures luminescence is dominated by free excitons. The broad excitonic band is best visible under high excitation, and reveals fast, non-exponential dynamics. We present mathematical model assuming exciton-exciton interaction leading to the Auger processes. The model includes $n^2$ (Langevin) term and describes well the non-exponential dynamics of the excitonic band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1001-1003
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Properties of Molybdenum Disulfide $(MoS_2)$
    Autorzy:
    Gołasa, K.
    Grzeszczyk, M.
    Korona, K.
    Bożek, R.
    Binder, J.
    Szczytko, J.
    Wysmołek, A.
    Babiński, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399110.pdf
    Data publikacji:
    2013-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    63.22.-m
    71.35.-y
    78.20.-e
    78.30.-j
    Opis:
    Research of a monolayer and a bulk $MoS_2$ is reported. The room temperature Raman spectra of the natural $MoS_2$ crystals for the both resonant (632.8 nm) and the non-resonant (532 nm) excitation are presented. The apparent differences observed in the spectra from the bulk and the one monolayer $MoS_2$ are discussed. In particular, the feature due to a first order scattering involving the LA(M) phonon in the resonance Raman spectrum of the one monolayer $MoS_2$ was observed and explained in terms of the disorder in the natural crystal. The disorder is also documented by the line-shape of the room-temperature photoluminescence spectra observed from both the bulk and the one monolayer $MoS_2$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 849-851
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Graphene Based Flow Sensors
    Autorzy:
    Kaźmierczak, P.
    Binder, J.
    Boryczko, K.
    Ciuk, T.
    Strupiński, W.
    Stępniewski, R.
    Wysmołek, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1195452.pdf
    Data publikacji:
    2014-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.65.Pq
    72.80.Vp
    73.30.+y
    Opis:
    We report on attempts to produce a graphene based liquid flow sensor. Our results indicate that modifications of the electric double layer, formed in the vicinity of the graphene surface, dominate over mechanisms responsible for liquid flow-induced voltage/current generation. Several graphene structures were tested in different measurement configurations, aimed to maximize the generated signal amplitude and its stability. Some realizations of working devices in water as well as in aqueous solutions of NaCl or HCl are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1209-1211
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Absorption and Emission Properties of Light Emitting Diode Structures Containing GaInN/GaN QWs
    Autorzy:
    Binder, J.
    Korona, K.
    Borysiuk, J.
    Wysmołek, A.
    Baeumler, M.
    Köhler, K.
    Kirste, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492933.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    72.40.+w
    73.61.Ey
    Opis:
    In this work we present measurements of GaInN/GaN light emitting diodes (LEDs) with an active layer consisting of three quantum wells made of $Ga_{0.9}In_{0.10}N$ that have different widths (1.8 nm, 2.7 nm, 3.7 nm). A comparison of emission and absorption (photocurrent) on the same sample revealed a shift in energy, with the emission energy being significantly lower. The shifts are about 0.02 eV, 0.03 eV, and 0.04 eV for the quantum wells having the widths of 1.8 nm, 2.7 nm, and 3.7 nm, respectively. This can be explained by a shift of the ground state energy caused by the quantum confined Stark effect. Calculations show that due to the spontaneous polarization and the piezoelectric effect a strong electric field of the order of 1 MV/cm was present in the GaInN quantum wells. Simulations of ground-state energies in the model of an infinite square well under the influence of an electric field with a matched effective well width were performed and used to interpret the experimental results.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 918-920
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies