- Tytuł:
-
Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR
Measurement of long range surface flatness deviation of Si wafers by means of HR XRR method - Autorzy:
-
Mazur, K.
Sass, J.
Surma, B.
Piątkowski, B.
Wnuk, A.
Gładki, A.
Turos, A. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/192401.pdf
- Data publikacji:
- 2008
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Tematy:
-
płytka Si
reflektrometria rentgenowska
Si wafers
X-Ray reflectrometry - Opis:
-
Opracowano metodę oszacowania stopnia długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni za pomocą rentgenowskiej metody reflektometrycznej XRR w układzie niezwierciadlanym (non - specular). Otrzymane wyniki dla ośmiu płytek krzemowych o zróżnicowanej grubości porównano z wynikami uzyskanymi za pomocą innych metod: (1) optycznej (w przypadku próbek grubości < 200 μm), (2) z wykorzystaniem stykowego miernika grubości (TSK) (dla próbek o grubości > 200 μm). Pomimo różnych założeń dla porównywanych metod uzyskano wystarczająco dobrą zgodność wyników co świadczy o użyteczności opracowanej metody.
The adaptation of the non-specular X-ray reflectivity method to control the long range random deviation of the surface flatness were done. The results obtained for eight Si samples were compared with the ones obtained (1) by optical method (for the samples < 200 μm in thickness), (2) by contact thickness gage (TSK) measurements, (for samples > 200 m in thickness). Despite of the rather rough assumptions made for compared methods, a sufficiently good conformity has been obtained. This is important conclusion confirms the usefulness of the proposed X-ray method - Źródło:
-
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 5-22
0209-0058 - Pojawia się w:
- Materiały Elektroniczne
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł