Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "78.60.Ya" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Luminescence and Transient Absorption of CdWO$\text{}_{4}$ Crystals
    Autorzy:
    Millers, D.
    Grigorjeva, L.
    Chernov, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2010943.pdf
    Data publikacji:
    1999-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.60.Ya
    78.40.-q
    Opis:
    Luminescence and transient absorption of the oxygen-deficient CdWO$\text{}_{4}$ crystal were studied. The electron transitions from the excited state of the luminescence center to some higher energy state are responsible for the transient absorption observed. The scheme of luminescence center levels is proposed from the obtained experimental results.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1999, 95, 6; 965-969
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Model for Luminescence Center Excitation in PbWO_{4}
    Autorzy:
    Millers, D.
    Grigorjeva, L.
    Chernov, S.
    Pankratov, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2010944.pdf
    Data publikacji:
    1999-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.40.-q
    78.60.Ya
    61.72.Cc
    Opis:
    The luminescence and transient absorption of PbWO$\text{}_{4}$ crystals were studied. The electron beam (10 ns, E≈270 keV) was used as excitation source. The kinetics of luminescence is complicated - the prompt rise of luminescence intensity is followed by a slow (τ$\text{}_{r}$≈100 ns) rise. The luminescence decay at 80 K is nearly exponential with τ$\text{}_{d}$≈4.0- 4.5 μs. The decay kinetics of transient absorption at 3.5 eV can be described roughly by two exponents with time constants τ$\text{}_{1}$≈100 ns and τ$\text{}_{2}$≈4.0 μs. A common process responsible for absorption relaxation and luminescence rise is suggested. The luminescence center excitation occurs during recombination process via Pb$\text{}^{2+}$ excited state formation and subsequent energy transfer to WO$\text{}_{4}^{2-}$ group.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1999, 95, 6; 971-976
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Some Aspects of Solid State Radioluminescence
    Autorzy:
    Wojtowicz, A. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1994522.pdf
    Data publikacji:
    1999-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.60.Ya
    78.30.Hv
    78.60.Kn
    29.40.Mc
    Opis:
    In this paper we review results of radioluminescence studies on two scintillator materials, LuAlO$\text{}_{3}$ and YAlO$\text{}_{3}$, activated with Ce. The experiments include measurements of ther moluminescence, isothermal phosphorescence decays, scintillation light yield as function of temperature, and scintillation time profiles under gamma excitation. Experimental results are interpreted in the frame of a simple kinetic model that includes a number of electron traps. We have identified and characterized a number of deep and shallow traps and demonstrated that traps in LuAlO$\text{}_{3}$:Ce are deeper than corresponding traps in YAlO$\text{}_{3}$:Ce. Unlike deep traps which are responsible for some scintillation light loss but otherwise do not have any impact on generation of scintillation light, shallow traps are shown to actively interfere with the process of radiative recombination via Ce ions. We demonstrate that shallow traps are responsible for some as yet unexplained observations including a higher room temperature light yield of YAlO$\text{}_{3}$:Ce and its longer scintillation decay time, as well as a longer scintillation rise time in LuAlO$\text{}_{3}$:Ce.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1999, 95, 1; 165-178
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Thermoluminescence and Scintillation Time Profiles of BaF$\text{}_{2}$:Ce
    Autorzy:
    Głodo, J.
    Szupryczyński, P.
    Wojtowicz, A. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1994962.pdf
    Data publikacji:
    1999-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.60.Kn
    78.60.Ya
    78.55.Hx
    29.40.Mc
    Opis:
    In this communication we present results of measurements of low temperature thermoluminescence, isothermal decays, steady state radioluminescence yield, and scintillation time profiles at various temperatures on two scintillator materials, BaF$\text{}_{2}$:Ce and undoped BaF$\text{}_{2}$. We find that all these results can be consistently interpreted in the frame of a model that includes several relatively shallow charge traps. We have identified and characterized one particular shallow trap that causes the decay of the dominant scintillation component of BaF$\text{}_{2}$:Ce to be slower than radiative, as well as a set of others that are responsible for even slower components in the scintillation time profile of this material.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1999, 95, 2; 259-268
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies