Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "78.40.Dw" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Behavior of $Co^{2+}$ Cations in the Aqueous and Alcoholic Solution of $CoCl_2 \cdot 6H_2O$
Autorzy:
Petkova, P.
Nedkov, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399687.pdf
Data publikacji:
2013-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.15.+e
78.40.Dw
Opis:
We investigated the optical properties of $Co^{2+}$ cations in the aqueous and alcoholic solution of $CoCl_2 \cdot 6H_2O$ at room temperature. We measured the absorption spectra of these solutions in the spectral region 395-800 nm. The Racah parameters and the exchange integrals of the aqueous complex $[Co(H_2O)_6]^{2+}$ are calculated. The parameters $D_{t}$ and $D_{s}$ are also calculated on the basis of our experimental data. The parameters δ σ and δπ which are connected with the symmetry of this complex are also determined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 2; 207-208
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic Constitution of Paramagnetic 3d Complexes and Positronium Conversion Rate Constants
Autorzy:
Fantola Lazzarini, A. L.
Lallarini, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929063.pdf
Data publikacji:
1993-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
36.10.Dr
61.66.Fn
71.70.Ch
78.40.Dw
78.70.Bj
Opis:
The rate constants, k$\text{}_{SE}$, of ortho- into para-positronium spin conversion reactions promoted by paramagnetic 3d complexes may be correlated with their electronic constitution as it is described by the spin-orbit coupling and interelectronic repulsion parameters. The correlation is explained in terms of unpaired metal-electron delocalization towards the complex boundaries.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 3; 297-302
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Effect of Surface Preparation on Physical Properties of Ni-ZnSe Junctions
Autorzy:
Chusnutdinow, S.
Makhniy, V.
Aleszkiewicz, M.
Zaleszczyk, W.
Slotov, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1375723.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.60.Dw
78.55.Cr
73.40.Ei
Opis:
We report on optical and photovoltaic properties of Ni-ZnSe junctions. We demonstrate that the preparation method of the ZnSe surface determines luminescence, optical transmission of ZnSe substrates and photovoltaic spectra of the Ni-ZnSe junctions. The observed effects are explained by formation of low-dimensional quantum structures on the ZnSe surface in result of the surface preparation procedure. This is confirmed by atomic force microscopy studies, which show the presence of grains with lateral dimensions of 30-300 nm on ZnSe surface. The smallest grains are responsible for a wide spectral band observed in photoluminescence at 3.4 eV, i.e., at much higher energies than the energy gap of bulk ZnSe, $E_{g}$ ≈ 2.7 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1076-1078
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical Properties of GaInAsSb/GaSb/GaAlAsSb Double Heterostructure with Low Diameter
Autorzy:
Kucur, B.
Ahmetoglu, M.
Andreev, I.
Kunitsyna, E.
Mikhailova, M.
Yakovlev, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1194577.pdf
Data publikacji:
2014-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.-c
78.66.-w
85.60.Dw
Opis:
GaInAsSb/GaSb/GaAlAsSb double heterostructures are attractive for optoelectronic devices working in the 1.5-4.8 μm wavelength region. In this paper, the current mechanisms of liquid phase epitaxy grown GaInAsSb based double heterostructures with 100 μm diameter were investigated in the temperature range 77-350 K. It was found that diffusion current dominates at the high temperature (> 240 K) and small forward bias region, while generation-recombination current dominates at intermediate temperatures (242-171 K). At low temperature region (< 171 K), the tunneling mechanism of the current flow dominates in both forward and reverse biases.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 2; 411-413
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies