Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Oginskis, A. K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Synthesis and Electrical Properties of La-Pr-Mn-O Thin Films and Heterostructures
Autorzy:
Butkutė, R.
Anisimovas, F.
Oginskis, A. K.
Steikūnienė, A.
Devenson, J.
Vengalis, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047223.pdf
Data publikacji:
2007-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.70.-i
71.30.+h
73.50.-h
75.70.Pa
Opis:
In this paper we report the results of synthesis and study of both ceramic samples and thin films of electronically doped La$\text{}_{0.7}$Pr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ and related heterostructures composed of La$\text{}_{0.7}$Pr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ and p-type La$\text{}_{0.67}$Ca$\text{}_{0.33}$MnO$\text{}_{3}$. The ceramic La$\text{}_{0.7}$Pr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ samples were prepared by a conventional solid state reaction technique. Single phase La$\text{}_{0.7}$Pr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ thin films and La$\text{}_{0.7}$Pr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$/La$\text{}_{0.67}$ Ca$\text{}_{0.33}$MnO$\text{}_{3}$ heterostructures were grown on lattice-matched perovskite NdGaO$\text{}_{3}$ substrates by pulsed laser deposition. Electron doping was indicated both for ceramic La$\text{}_{0.7}$Pr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ samples and thin films from thermopower data. Both ceramic samples and thin films of La$\text{}_{0.7}$Pr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ demonstrated resistivity of about 10 mΩ cm at 300 K and semiconductor-like resistance vs. temperature behavior with cooling down to 78 K. Meanwhile, the resistance of the La$\text{}_{0.7}$Pr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$/La$\text{}_{0.67}$Ca$\text{}_{0.33}$MnO$\text{}_{3}$ interface showed an anomalous peak at 185 K. A series of post-deposition annealing experiments demonstrated a crucial role of annealing temperature and ambience on both electrical and magnetic properties of La$\text{}_{0.7}$Pr$\text{}_{0.3}$MnO$\text{}_{3}$ material and the heterostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 111, 1; 111-115
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of Heterostructure Formed from Hole- and Electron-Doped Lanthanum Manganites
Autorzy:
Vengalis, B.
Rosa, A. M.
Devenson, J.
Šliužienė, K.
Lisauskas, V.
Oginskis, A.
Anisimovas, F.
Pyragas, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041760.pdf
Data publikacji:
2005-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Cg
73.40.Lg
75.50.Dd
Opis:
High crystalline quality films of n-La$\text{}_{2}\text{}_{/}\text{}_{3}$ Ce$\text{}_{1}\text{}_{/}\text{}_{3}$ MnO$\text{}_{3}$, p-La$\text{}_{2}\text{}_{/}\text{}_{3}$ Ca$\text{}_{1}\text{}_{/}\text{}_{3}$ MnO$\text{}_{3}$ and related p-n diode structures were grown heteroepitaxially on lattice-matched SrTiO$\text{}_{3}$(100) substrates by dc magnetron sputtering and pulsed laser deposition. The La$\text{}_{2}\text{}_{/}\text{}_{3}$ Ce$\text{}_{1}\text{}_{/}\text{}_{3}$ Mn O$\text{}_{3}$/La$\text{}_{2}\text{}_{/}\text{}_{3}$ Ca$\text{}_{1}\text{}_{/}\text{}_{3}$ MnO$\text{}_{3}$ bilayer was patterned into a strip-like geometry to investigate electrical properties of the interface. Significant magnetoresistance values and nonlinear current-voltage characteristics were indicated for the interface of the p-n diode heterostructure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 290-293
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies