Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Łuka, K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Modelowanie szkieletowe podnośnika nożycowego w środowisku CATIA V5
    Skeleton modeling of scissor jack in CATIA V5 software
    Autorzy:
    Dębski, M.
    Łuka, K.
    Kozik, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/312691.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
    Tematy:
    CATIA
    modelowanie szkieletowe
    podnośnik nożycowy
    skeleton modeling
    scissor jack
    Opis:
    W artykule przedstawiono etapy modelowania złożenia podnośnika nożycowego w oparciu o konstrukcję szkieletową wykorzystując moduł Part Design. Metoda ta pozwala na tworzenie zespołów bez konieczności używania wiązań geometrycznych, bazując wyłącznie na ustalaniu komponentów w przestrzeni. W pracy zaprezentowano również narzędzia modułu Assembly Design przydatne przy tym sposobie modelowania zespołów.
    The article presents the stages of modeling the assembly of a scissor jack based on skeleton construction using the Part Design module. This method allows the creation of assemblies without having to use geometric constraints, based solely on the fixing of components in space. The Assembly Design tool is also useful in this way of team modeling.
    Źródło:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2017, 18, 10; 44-47
    1509-5878
    2450-7725
    Pojawia się w:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Barriers in Miniaturization of Electronic Devices and the Ways to Overcome Them - from a Planar to 3D Device Architecture
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Guziewicz, E.
    Gierałtowska, S.
    Łuka, G.
    Krajewski, T.
    Wachnicki, Ł.
    Kopalko, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807598.pdf
    Data publikacji:
    2009-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.35.-p
    73.40.Lq
    73.40.Qv
    81.05.Dz
    81.15.-z
    Opis:
    We witness a new revolution in electronic industry - a new generation of integrated circuits uses as a gate isolator $HfO_{2}$. This high-k oxide was deposited by the atomic layer deposition technique. The atomic layer deposition, due to a high conformality of deposited films and low growth temperature, has a large potential to be widely used not only for the deposition of high-k oxides, but also of materials used in solar cells and semiconductor/organic material hybrid structures. This opens possibilities of construction of novel memory devices with 3D architecture, photovoltaic panels of the third generation and stable in time organic light emitting diodes as discussed in this work.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-19-S-21
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structure Dependent Conductivity of Ultrathin ZnO Films
    Autorzy:
    Snigurenko, D.
    Kopalko, K.
    Krajewski, T.
    Łuka, G.
    Gierałtowska, S.
    Witkowski, B.
    Godlewski, M.
    Dybko, K.
    Paszkowicz, W.
    Guziewicz, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403646.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ga
    78.66.Hf
    81.15.Gh
    Opis:
    Zinc oxide films dedicated for hybrid organic/inorganic devices have been studied. The films were grown at low temperature (100°C, 130C and 200°C) required for deposition on thermally unstable organic substrates. ZnO layers were obtained in atomic layer deposition processes with very short purging times in order to shift a structure of the films from polycrystalline towards amorphous one. The correlation between atomic layer deposition growth parameters, a structural quality and electrical properties of ZnO films was determined.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1042-1044
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Struktury fotowoltaiczne oparte o heterozłącze ZnO/Si
    Photovoltaic Structures Based on Heterojunction Zno/Si
    Autorzy:
    Pietruszka, R.
    Łuka, G.
    Witkowski, B. S.
    Kopalko, K.
    Zielony, E.
    Biegański, P.
    Płaczek-Popko, E.
    Godlewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/952439.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    fotowoltaika
    tlenek cynku
    metoda osadzania warstw atomowych
    photovoltaic
    zinc oxide
    Opis:
    Warstwy tlenku cynku otrzymane metodą osadzania warstw atomowych ALD zostały użyte jako n-typu partner dla p-typu krzemu. Jako przezroczystą górną elektrodę wybrano warstwę tlenku cyku domieszkowaną glinem (tak zwana warstwa TCO – Transparent Conductive Oxide). Użyto tanich podłóż krzemowych o niezoptymalizowanej dla zastosowań fotowoltaicznych grubości. W niniejszej pracy badano proste struktury fotowoltaiczne ZnO/Si w celu redukcji kosztów produkcji energii elektrycznej pozyskiwanej za pomocą ogniw fotowoltaicznych. Zmierzona sprawność zoptymalizowanych częściowo (warstwy ZnO) ogniw fotowoltaicznych wyniosła 6%.
    We report on the properties of photovoltaic (PV) structures based on thin films of n-type zinc oxide grown by atomic layer deposition method on a cheap silicon substrate. Thin films of ZnO are used as n-type partner to p-type Si (110) and, when doped with Al, as a transparent electrode. PV structures with different electrical parameters and thicknesses of ZnO layers were deposited to determine the optimal performance of PV structures. The best response we obtained for the structure with ZnO layer thickness of 800 nm. The soobtained PV structures show 6% efficiency.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 264; 113-123
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hybrid Organic/ZnO p-n Junctions, with n-Type ZnO, Grown by Atomic Layer Deposition
    Autorzy:
    Łuka, G.
    Krajewski, T.
    Szczerbakow, A.
    Łusakowska, E.
    Kopalko, K.
    Guziewicz, E.
    Wachnicki, Ł.
    Szczepanik, A.
    Godlewski, M.
    Fidelus, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811956.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.J-
    73.40.Lq
    81.05.Lg
    Opis:
    We report on fabrication of hybrid inorganic-on-organic thin film structures with polycrystalline zinc oxide films grown by atomic layer deposition technique. ZnO films were deposited on two kinds of thin organic films, i.e. pentacene and poly(dimethylosiloxane) elastomer with a carbon nanotube content (PDMS:CNT). Surface morphology as well as electrical measurements of the films and devices were analyzed. The current density versus voltage (I-V) characteristics of ITO/pentacene/ZnO/Au structure show a low-voltage switching phenomenon typical of organic memory elements. The I-V studies of ITO/PDMS:CNT/ZnO/Au structure indicate some charging effects in the system under applied voltages.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1229-1234
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Schottky Junctions Based on the ALD-ZnO Thin Films for Electronic Applications
    Autorzy:
    Krajewski, T.
    Luka, G.
    Smertenko, P.
    Zakrzewski, A.
    Dybko, K.
    Jakiela, R.
    Wachnicki, L.
    Gieraltowska, S.
    Witkowski, B.
    Godlewski, M.
    Guziewicz, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492501.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.ag
    73.50.-h
    73.50.Bk
    73.61.Ga
    81.15.-z
    81.15.Gh
    Opis:
    The ZnO-based Schottky diodes revealing a high rectification ratio may be used in many electronic devices. This paper demonstrates several approaches to obtain a ZnO-based Schottky junction with a high rectification ratio. The authors tested several methods such as: post-growth annealing of the ZnO layer, acceptor (nitrogen) doping, as well as the ZnO surface coating with a properly chosen dielectric material. The influence of these approaches on the diode's rectification ratio together with modeling based on the differential approach and thermionic emission theory are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-017-A-021
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies