Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Gelczuk, Ł." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
DLTS Investigations of (Ga,In)(N,As)/GaAs Quantum Wells before and after Rapid Thermal Annealing
Autorzy:
Gelczuk, Ł.
Dąbrowska-Szata, M.
Pucicki, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1195373.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
71.55.-i
73.61.Ey
Opis:
Deep level transient spectroscopy was used to investigate deep-level defects in (Ga,In)(N,As)/GaAs triple quantum well structures grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy with different indium and nitrogen contents and annealed in rapid thermal annealing system. A combination of electron traps that disappear or remain on annealing and a new hole trap that appears on annealing were detected. The revealed electron traps were attributed to N-related complexes or GaAs host-related native point defects. Moreover, it was suggested that the new hole trap observed in the annealed GaAsN/GaAs triple quantum well structure together with the dominant electron trap can act as generation-recombination center responsible for the observed a very poor optical quality among all the investigated multi-quantum well structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1195-1198
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Misfit Dislocations Study in MOVPE Grown Lattice-Mismatched InGaAs/GaAs Heterostructures by Means of DLTS Technique
Autorzy:
Gelczuk, L.
Dąbrowska-Szata, M.
Jóźwiak, G.
Radziewicz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038268.pdf
Data publikacji:
2004-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
71.55.Eq
71.20.Nr
Opis:
Two deep traps associated with lattice-mismatch induced defects in n-type In$\text{}_{0.042}$Ga$\text{}_{0.958}$As/GaAs heterostructures and three deep point traps were observed by means of DLTS method. In order to determine the overlapping DLTS-line peaks parameters precisely, high resolution Laplace DLTS studies werw performed. A simple procedure of distinguishing between point and extended defects in DLTS measurements was used.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 265-272
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies