Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "stop metaliczny" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
The structure of clusters in liquid alloys of pseudo-binary PbTe-Bi2Te3 system
Autorzy:
Korolyshyn, A. V.
Olyinyk, Z. M.
Mudry, S. I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378946.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Stowarzyszenie Komputerowej Nauki o Materiałach i Inżynierii Powierzchni w Gliwicach
Tematy:
metallic alloy
short-range order
melt
thermoelectric material
stop metaliczny
uporządkowanie bliskie
wytop
materiał termoelektryczny
Opis:
Purpose: of this paper is to study the structure of melts of quasi-binary system Bi2Te3-PbTe by means of X-ray diffraction method. The aim of the research was to investigate the short range order in melts comparing it with the structure in solid state. Design/methodology/approach: Analysis of the structural factors, radial distribution functions of atoms and basic structural parameters showed that the structure of melts at temperatures near the liquidus shows microheterogeneity. Findings: On the basis of the analysis of structural factors, functions of the radial distribution of atoms and basic structural parameters, it is shown that in the given concentration the short range order structure of liquid alloys of pseudo-binary PbTe-Bi2Te3 system is microinhomogeneous and is characterized by the presence of associates, whose atomic arrangement is like to the structure of solid compounds, existing in this concentration range. Research limitations/implications: To complete the understanding of short-range order effect on the formation of the physical properties of Pb-Bi-Te alloys, further studies of the thermoelectric properties of these alloys in the liquid state are needed. Practical implications: The promise of the considered direction requires an experimental and theoretical study of the processes of bulk, thin film and nanostructured material. In this case, it is necessary to develop a technology for the synthesis of compounds of Pb-Bi-Te system, obtaining thin films and nanostructures using the vapour phase methods with studying the mechanisms of thermoelectric properties of the material formation and optimization of technological regimes for obtaining effective thermoelectric materials based on compounds of Pb-Te-Bi system. Originality/value: The processes of structure formation of nanosystems with given characteristics are investigated, because among numerous thermoelectric materials, bismuth telluride (Bi2Te3) and its alloys are the most important thermoelectric materials used in state-of-the-art devices near room temperature, and lead telluride (PbTe)-based alloys are extensively used in power supplies for space exploration and generators for use at medium to high temperatures.
Źródło:
Archives of Materials Science and Engineering; 2019, 100, 1/2; 5-12
1897-2764
Pojawia się w:
Archives of Materials Science and Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Lead free thick film circuits
Bezołowiowe mikroukłady grubowarstwowe
Autorzy:
Achmatowicz, S.
Zwierkowska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/191998.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
bezołowiowy układ grubowarstwowy
materiał ceramiczny
materiał metaliczny
lutowanie warstw grubych
lutowanie warstw miedzi
bezołowiowy stop lutowniczy
warstwa gruba wolna od ołowiu
Opis:
Distribution of lead in thick film circuits has been indicated. Two categories of lead containing materials, ceramic and metallic, have been distinguished. A short history of removing lead oxides from ceramic materials has been presented. Metallurgical reactions between solder and thick film material, during the soldering and after the joint solidification have been discused. Diverse courses of soldering process of thick film layers and cupper layers of printed circuits have been compared. Useful lead free alloys for soldering lead free thick film have been presented.
Wskazano położenie występowania ołowiu w układach grubowarstwowych. Wyróżniono dwie kategorie materiałów zawierających ołów: ceramiczne i metaliczne. Przedstawiono skróconą historię uwalniania materiałów ceramicznych od tlenków ołowiu. Omówiono przebieg reakcji pomiędzy lutowiem a materiałem warstw grubych, w czasie lutowania i po zestaleniu połączenia lutowniczego. Przeprowadzono porównanie przebiegu procesów lutowania warstw grubych ze zjawiskami zachodzącymi w czasie lutowania warstw miedzi w obwodach drukowanych. Przedstawiono propozycje użytecznych bezołowiowych stopów lutowniczych do lutowania warstw grubych wolnych od ołowiu.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 1-2, 1-2; 5-47
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies