- Tytuł:
-
Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4 i orientacji < 100 > oraz < 111 >
Difficulties in 4 gallium phosphide (GaP) single crystals growing in < 100 > or < 111 > direction - Autorzy:
-
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Hruban, A.
Strzelecka, S. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/192234.pdf
- Data publikacji:
- 2010
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Tematy:
-
GaP
monokrystalizacja
metoda LEC
crystal growth
LEG method - Opis:
-
Opracowano warunki otrzymywania monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Skonstruowano układy termiczne dla urządzenia MarkIV, w których można otrzymywać metodą Czochralskiego z herme-tyzacją cieczową (LEC - Liąuid Encapsulated Czochralski) duże monokryształy GaP. Zbadano termiczne warunki wzrostu kryształów. Doświadczalnie określono wpływ niektórych elementów układu termicznego na kształt pola temperatur w obszarze wzrostu kryształów. Otrzymano monokryształy GaP o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Zbadano ich własności elektryczne i strukturalne.
Technological parameters for growing 4"(GaP) single crystals in < 100 > and < 111 > direction were investigated. Thermal systems were constructed for MarklV puller, which allow growing GaP single crystals with big diameter by Liquid Encapsulated Czochralski method. The influence of some of the thermal system elements on the temperature field near the growing crystal was experimentally assessed. GaP crystals of 4" in diameter were obtained in < 100 > and < 111 > direction. Electrical and structural parameters were assessed. - Źródło:
-
Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 2, 2; 9-19
0209-0058 - Pojawia się w:
- Materiały Elektroniczne
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł