Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "magnetic random access memory MRAM" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Mikrosystemy i Sensory
    Microsystems and Sensors
    Autorzy:
    Maksymowicz, L.
    Nowak, S.
    Leja, E.
    Pisarkiewicz, T.
    Stapiński, T.
    Zakrzewska, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/154228.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    optoelectronics
    semiconducting gas sensors
    modified multicrystalline silicon structures as a light detector thin film technology
    vacuum equipment
    magnetic tunnel junctions
    magnetic random access memory MRAM
    radio frequency identification (RFID)
    mine underground environment
    ceramic microsystem
    microfluidics
    LTCC
    photoimageable thick-films
    Opis:
    Prezentowana praca zawiera wybrane zagadnienia naukowe związane z rozwijaną od lat tematyką w Katedrze Elektroniki dotyczącą mikrosystemów i sensorów. Autorzy odnieśli się do szczegółowych zagadnień takich jak: półprzewodnikowe sensory gazu, zmodyfikowane struktury multikrystalicznego krzemu jako detektor światła, cienkowarstwowe magnetyczne złącza tunelowe i ich zastosowania. Opisano również opracowywane technologie i konstrukcje urządzeń próżniowych do wytwarzania cienkich warstw i układów wielowarstwowych. Zaprezentowano przykładowe zastosowania techniki sensorowej i radiowej identyfikacji obiektów RFID w sektorze energetycznym. Przedstawiono zastosowanie dwóch zaawansowanych technologii ceramicznych - współwypalanych folii ceramicznych LTCC oraz warstw grubych fotoformowalnych do wytworzenia elementów składowych mikrosystemu ceramicznego dla chromatografii - mikrokanału oraz płomieniowego detektora jonizacyjnego.
    The work deals with scientific problems connected with microsystems and sensor technology developed in Department of Electronics. The authors present their achievements such as semiconductor gas sensors, microcrystalline silicon light detectors, thin film magnetic tunnel junctions and their applications. Some vacuum systems for films and multilayers depositions were also designed and constructed by our scientific staff. The sensor and radio frequency identification (RFID) applications were also described. Two advanced ceramic technologies (photoimageable thick films and LTCC) has been successfully combined to obtain microfluidic structures - the microchannel and the flame ionisation detector which are intended to use in a simple, portable ceramic microsystem for chromatography.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 3, 3; 63-69
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Thermal assisted switching magnetic tunnel junctions as FPGA memory elements
    Autorzy:
    Silva, V.
    Fernandes, J. R.
    Oliveira, L. B.
    Neto, H. C.
    Ferreira, R.
    Freitas, S.
    Freitas, P. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397855.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    MRAM (oporność magnetyczna pamięci o dostępie swobodnym)
    MTJ (magnetyczny tunel połączeń)
    pisanie projektów (programów)
    FIMS (pole indukowane magnetycznym przełącznikiem)
    MRAM (magnetoresistive random access memory)
    MTJ (magnetic tunnel junction)
    writing schemes
    FIMS (field induced magnetic switching)
    TAS (thermal assisted switching)
    STT
    Opis:
    This paper presents our research and development work on new circuits and topologies based on Magnetic RAM for use as configuration memory elements of reconfigurable arrays. MRAM provides non volatility with cell areas and with access speeds comparable to those of SRAM and with lower process complexity than FLASH memories. The new memory cells take advantage of the Thermal Assisted Switching (TAS) writing technique to solve the drawbacks of the more common Field Induced Magnetic Switching writing technique. The CMOS circuit structures to implement the main components for reading and writing the MTJ cells have been developed, characterized and evaluated. A scaled down prototype of a coarse grain reconfigurable array that employs the TAS-MRAM elements as configuration memory has been designed and electrically simulated pre- and post- layout. The results obtained for all the circuit elements, namely the storage cells and the current generators, indicate that the new configuration memory cells can provide a very promising technological solution for run-time reconfigurable hardware devices. The prototype has been manufactured using a standard process 0.35μm 4-Metal CMOS process technology and should be under test in the foreseeable future.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 1; 31-36
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies