Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Mazanik, A. V." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures: comparative analysis
    Autorzy:
    Fedotov, A. K.
    Streltsov, E.A.
    Baranov, I. L.
    Svito, I. A.
    Malashchonak, M. V.
    Mazanik, A. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118386.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    Ni/TiO2/Ti
    Ni/SiO2/Si
    magnetoresistance
    magnetorezystancja
    Opis:
    Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures obtained using template-based approach have been examined in the temperature range from 2 to 300 K. It was established that the main contribution into observed magnetoresistance is given by the silicon substrate, whereas influence of Ni is negligible small.
    Właściwości magnetyczne struktur Ni/TiO2/Ti oraz Ni/SiO2/Si otrzymanych z zastosowaniem tzw. „podejścia szabłonowego” zostały zbadane w zakresie temperatur od 2 do 300 K. Ustalono, że główny wkład do obserwowanej magnetorezystancji jest rezultatem wpływu podłoża krzemowego , podczas gdy wpływ Ni jest znikome mały.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2015, 8; 61-67
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mechanisms of Carrier Transport in $Cu_x(SiO_2)_{1-x}$ Nanocomposites Manufactured by Ion-Beam Sputtering with Ar Ions
    Autorzy:
    Fedotov, A.
    Mazanik, A.
    Svito, I.
    Saad, A.
    Fedotova, V.
    Czarnacka, K.
    Koltunowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402220.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    84.37.+q
    72.80.Ga
    73.22.-f
    61.46.Df
    64.60.ah
    Opis:
    The present paper investigates the temperature/frequency dependences of admittance Z in the granular $Cu_x(SiO_2)_{1-x}$ nanocomposite films around the percolation threshold $x_{C}$ in the temperature range of 4-300 K and frequencies of 20-10⁶ Hz. The behavior of low-frequency ReZ(T) dependences displayed the predominance of electrons hopping between the closest Cu-based nanoparticles for the samples below the percolation threshold $x_{C}$ ≈ 0.59 and nearly metallic behaviour beyond the $x_{C}$. The high-frequency curves ReZ(f) at temperatures T > 10 K for the samples with x < $x_{C}$ exhibited behavior close to ReZ(f) ≈ $f^{-s}$ with s ≈ 1.0 which is very similar to the known Mott law for electron hopping mechanism. For the samples beyond the percolation threshold (x > $x_{C}$), the frequency dependences of ReZ(f) displayed inductive-like (not capacitive) behaviour with positive values of the phase shift angles.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 883-886
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Thermoelectric Properties of $Ca_3Co_4O_9$-Based Ceramics Doped with Fe and/or Y
    Autorzy:
    Fedotov, A.
    Mazanik, A.
    Svito, I.
    Saad, A.
    Troyanchuk, I.
    Bushinski, M.
    Fedotova, V.
    Zukowski, P.
    Koltunowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1366301.pdf
    Data publikacji:
    2014-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    46.25.Hf
    62.20.D-
    82.45.Xy
    Opis:
    We describe here structure and temperature dependences of conductivity σ(T), the Seebeck coefficient α(T), thermal conductivity λ(T) and figure-of-merit ZT(T) in $Ca_3Co_4O_9$ ceramics, doped with Fe and Y, depending on compacting pressure (0.2 or 6 MPa) and temperature (300 < T < 700 K). It is shown that introduction of iron and yttrium to ceramics does not alter the crystalline structure of the material. Increasing the pressure in the compacting process before the additional diffusion annealing leads to a smaller-grained structure and increase σ and λ due to reducing of the synthesized samples porosity. The Seebeck coefficients of nanocomposite ceramics $Ca_3Co_{3.9}Fe_{0.1}O_9$ and $(Ca_{2.9}Y_{0.1})(Co_{3.9}Fe_{0.1})O_9$ have linear dependences on temperature is not changed after increase of compacting pressure. Electrical-to-heat conductivity ratio (σ/λ) for the samples compacted at high (6 GPa) pressure increases not more than 20-30% in comparison with ones compacted at low (0.2 GPa) pressure, whereby ZT is increased more than 50%. The main reason for this effect is samples porosity reduction with the compacting pressure increase.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1344-1347
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetoresistance in n-Si/$SiO_2$/Ni Nanostructures Manufactured by Swift Heavy Ion-Induced Modification Technology
    Autorzy:
    Fedotova, J.
    Ivanou, D.
    Ivanova, Y.
    Fedotov, A.
    Mazanik, A.
    Svito, I.
    Streltsov, E.
    Saad, A.
    Tyutyunnikov, S.
    Kołtunowicz, T.
    Demyanov, S.
    Fedotova, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504014.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Ln
    81.05.Rm
    73.22.-f
    73.50.Jt
    Opis:
    A study of magnetotransport in the n-Si/$SiO_2$/Ni nanostructures with granular Ni nanorods in $SiO_2$ pores was performed over the temperature range 2-300 K and at the magnetic fields induction up to 8 T. The n-Si/$SiO_2$/Ni Schottky nanostructures display the enhanced magnetoresistive effect at 25 K due to the impurity avalanche mechanism.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 133-135
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies