Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kohler, L." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Studying glycosaminoglycan derivative/protein interaction - prerequisite for the design of functional biomaterials
    Autorzy:
    Scharnweber, D.
    Rother, S.
    Kohler, L.
    Hintze, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/285480.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
    Tematy:
    biomaterials
    cellular microenvironment
    glycosaminoglycans
    Źródło:
    Engineering of Biomaterials; 2016, 19, 138; 25
    1429-7248
    Pojawia się w:
    Engineering of Biomaterials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Absorption and Emission Properties of Light Emitting Diode Structures Containing GaInN/GaN QWs
    Autorzy:
    Binder, J.
    Korona, K.
    Borysiuk, J.
    Wysmołek, A.
    Baeumler, M.
    Köhler, K.
    Kirste, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492933.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    72.40.+w
    73.61.Ey
    Opis:
    In this work we present measurements of GaInN/GaN light emitting diodes (LEDs) with an active layer consisting of three quantum wells made of $Ga_{0.9}In_{0.10}N$ that have different widths (1.8 nm, 2.7 nm, 3.7 nm). A comparison of emission and absorption (photocurrent) on the same sample revealed a shift in energy, with the emission energy being significantly lower. The shifts are about 0.02 eV, 0.03 eV, and 0.04 eV for the quantum wells having the widths of 1.8 nm, 2.7 nm, and 3.7 nm, respectively. This can be explained by a shift of the ground state energy caused by the quantum confined Stark effect. Calculations show that due to the spontaneous polarization and the piezoelectric effect a strong electric field of the order of 1 MV/cm was present in the GaInN quantum wells. Simulations of ground-state energies in the model of an infinite square well under the influence of an electric field with a matched effective well width were performed and used to interpret the experimental results.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 918-920
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Strong Electric Field Driven Carrier Transport Non-Linearities in n-Type GaAs/AlGaAs Superlattices
    Autorzy:
    Subačius, L.
    Venckevičius, R.
    Kašalynas, I.
    Seliuta, D.
    Valušis, G.
    Schmidt, J.
    Lisauskas, A.
    Roskos, H.
    Alekseev, K.
    Köhler, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1505524.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.65.Cd
    06.60.Jn
    73.90.+f
    Opis:
    Nanosecond pulsed technique was used to study and discriminate strong electric field induced effects in carrier transport in silicon doped GaAs/$Al_{0.3}Ga_{0.7}As$ superlattices at room temperature. The experiment shows that the superlattice can serve as gain media to employ parametric phenomena for microwave amplification.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 167-169
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies