Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "diode" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 116
Tytuł:
Diode Laser for Treatment of Symptomatic Hemorrhoid: A Short Term Clinical Result of a Mini Invasive Treatment, and One Year Follow Up
Autorzy:
Jahanshahi, Abdolhadi
Mashhadizadeh, Esmail
Sarmast, Mohammad-Hossein
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1396685.pdf
Data publikacji:
2012-07-01
Wydawca:
Index Copernicus International
Tematy:
diode laser
hemorrhoid
piles
bleeding
Opis:
Hemorrhoid is protrusion of plexus or blood vessels in the anal canal. The hemorrhoid may cause symptoms that are: bleeding, pain, prolaps, itching, soilage of feces, and psychologic discomfort. There are many methods for treatment of hemorrhoid like, medical therapy, cryo-therapy, rubber band ligation, sclerotherapy, laser, and surgery. All methods have some complication in postoperative period and recurrence.The aim of the study was to evaluate Diode laser for treatment of hemorrhoid.Material and methods. This study included patients who suffer from the hemorrhoid. Cases with fistula and fissure had been omitted. Patients with hemorrhoid in grade 2, 3, 4 and mixed were treated with diode laser. Follow up was done 1,7,14, 30, 90, and 360 days laser therapy.Results. In this study, 341 patients with hemorrhoid treated with diode laser were included. Results of follow-up were as follows: need for analgesia in hospital stay and home was very low total complication was seen in 12 patient (3.51%), edema in 8 patient (2.34%), hemorrhage and abscess each of them in 2 patient (0.58%), stricture and recurrence was zero after one year.Conclusions. All methods used for hemorrhoid treatment has advantages, disadvantages, and limitations. But treatment of hemorrhoid by Diode laser, which is done by skilled surgeon has several advantages over other treatments. This advantages include, less operation time, less pain and bleeding, allow quick healing of piles, no stricture, and minimal recurrence after operation.
Źródło:
Polish Journal of Surgery; 2012, 84, 7; 329-332
0032-373X
2299-2847
Pojawia się w:
Polish Journal of Surgery
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Practical realization of ideal diode full-wave rectifiers
Praktyczna realizacja idealnego prostownika dwupołówkowego
Autorzy:
Chytil, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/407676.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
dioda idealna
dioda półprzewodnikowa
prostownik pełnofalowy
MOSFET
ideal diode
electronic diode
full-wave rectifier
Opis:
This paper discuses practical realization of full-wave rectifiers made of electronic diodes for high current bipolar electronic loads. The presented solution minimizes the voltage drop and nonlinearity of loads in the region of low voltages. Compared to standard or Schottky diodes, electronic (also referred to as ideal) diodes exhibit very low voltage drop and power dissipation. In the full-wave rectifier, MOSFETs with very low RDSon (low units of milliohms) are used. Ideal rectifiers have been traditionally used as structural elements in switched power supplies; they are often applied in low dissipation power switches and started to be utilized as full-wave rectifiers.
Artykuł omawia praktyczną realizację prostownika dwupołówkowego wykonanego z użyciem diod prostowniczych dla obciążeń wysokoprądowych. Zaproponowane rozwiązanie minimalizuje spadek napięcia i nieliniowość obciążenia w zakresie małych napięć. W porównaniu do standardowej diody Schottkiego, diody „elektroniczne” (nazywane również idealnymi) wykazują bardzo mały spadek napięcia i straty mocy. W prostowniku dwupołówkowym użyto tranzystory MOSFET o bardzo niskiej RDSon (rzędu miliomów). Idealne prostowniki są tradycyjnie używane jako elementy konstrukcyjne w zasilaczach impulsowych; są one często stosowane w niskostratnych przełącznikach mocy i zaczynają być stosowane jako prostowniki dwupołówkowe.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2014, 4; 81-84
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant tunnelling diode with magnetised electrodes
Rezonansowa dioda tunelowa z elektrodami magnetycznymi
Autorzy:
Szczepański, Tomasz
Kudła, Sylwia
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/129532.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
Tematy:
resonant tunnelling
diode
magnetic tunnelling diode
spintronics
rezonansowa dioda tunelowa
magnetyczna dioda tunelowa
spintronika
Opis:
We analyse some basic properties of charge and spin transport in a semiconductor structure with an insulating barrier. In this system two semiconducting layers are separated by the insulator, creating a structure which is called a tunnel junction. The particles may pass through this junction according to the quantum tunnelling effect. By using two tunnel junctions with energy barriers made of insulating material, one can construct a quantum potential well . Inside the well the energy levels are quantised, which means that only discrete or quasi-discrete values of energy are allowed. Moreover, the probability of charge tunnelling through the system, which contains the potential well, depends on whether the energy of the incoming particles is in coincidence with the so-called resonant energy level. Such systems form the base of structures called resonant tunnelling diodes.
Przedstawiono podstawowe własności transportu ładunku i spinu poprzez wielowarstwowe struktury półprzewodnikowe, zawierające warstwy izolatorów. Układ półprzewodników przedzielonych warstwą izolatora stanowi rodzaj złącza tunelowego, poprzez które cząstki przedostają się wykorzystując zjawisko tunelowania kwantowego. Za pomocą dwóch złącz tunelowych zawierających bariery energetyczne w postaci materiału izolatora, konstruujemy kwantową studnię potencjału. W jej obszarze poziomy energetyczne ulegają skwantowaniu, przyjmując wyłącznie wartości dyskretne lub quasi-dyskretne. Ponadto prawdopodobieństwo tunelowania ładunków przez układ zawierający studnię potencjału zależy od tego czy energia padających cząstek znajduje się w koincydencji z dozwolonym w jamie tzw. rezonansowym poziomem energetycznym. Tego typu systemy stanowią podstawę funkcjonowania tzw. rezonansowych diod tunelowych. Przeanalizowano zależności od różnych parametrów układu, takich jak energia poziomu rezonansowego, szerokość barier potencjału, oraz wpływ pola magnetycznego na elektryczne oraz spinowe własności transportowanych cząstek. Badania te mają kluczowe znaczenie w projektowaniu urządzeń na potrzeby spintroniki. Wykorzystują one polaryzację spinową prądu, akumulację spinu w studniach potencjału, manipulowanie spinem w układach elektronicznych przy wykorzystaniu pola magnetycznego oraz indukowanie magnetyzacji w obszarze studni kwantowej zawierającej rozszczepione spinowo poziomy rezonansowe.
Źródło:
Physics for Economy; 2019, 3, 1; 41-51
2544-7742
2544-7750
Pojawia się w:
Physics for Economy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Simulation and characterization of 4H-SiC JBS diodes irradiated by hydrogen and carbon ions
Autorzy:
Sharma, R. K.
Hazdra, P
Popelka, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397767.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
4H-SiC
characterization
JBS diode
PIN diode
simulation
dioda JBS
dioda PIN
symulacje
Opis:
This paper presents the development and application of simulation models for proton and carbon irradiated 4H-SiC junction barrier Schottky (JBS) diodes. Commercial JBS diode chips were irradiated to the identical depth with different doses of hydrogen and carbon ions. The resulting defects were then identified by deep level transient spectroscopy (DLTS). Comprehensive I-V and C-V measurement performed prior to and after ion irradiation was used for calibration of simulation models. Results show that compared to protons, heavier carbon ions introduce more defects with deeper levels in the SiC bandgap and more stable damage. For the first time, the free carrier concentration profile extracted from CV simulations for irradiated JBS diode has been compared with experimental data. The simulation of irradiated JBS diodes exhibit excellent matching with experimental data and can be very useful for the optimization of SiC power devices. Furthermore, it is shown that the developed model can be used for prediction of the effect of ion irradiation on both the static and dynamic characteristic of PiN diode.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2015, 6, 2; 59-63
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modification of mirowave frequency detector characteristic with the use of phase shifter
Autorzy:
Rećko, C.
Stec, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221689.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
frequency detector
phase detector
diode ring
Opis:
Microwave frequency detectors enable immediate determination of an unknown microwave signal frequency. Measurement is possible if the output characteristic of a frequency detector is unequivocal in a selected band of operation. The paper presents a method for obtaining unequivocal output characteristics for a given band of frequency detector operation.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2018, 25, 4; 769-777
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of InGaN waveguide on injection efficiency in III-nitride laser diodes
Autorzy:
Hajdel, Mateusz
Muzioł, Grzegorz
Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
Siekacz, Marcin
Wolny, Paweł
Skierbiszewski, Czesław
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173219.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
InGaN
laser diode
waveguide
injection efficiency
Opis:
The influence of using InGaN waveguides on blue laser diodes was theoretically studied using 1D drift diffusion model and 2D optical mode calculation. Despite of the known effect of increased confinement of an optical mode, especially for long wavelengths, an unexpected influence on the efficiency of carrier injection into the active region is discussed. It is found that InGaN-AlGaN interface is crucial to achieving high injection efficiency. A numerical model is created, which describes the influence of InGaN waveguide and Mg doping of electron blocking layer on basic properties of laser diodes. It is found that an increase of injection efficiency allows to reduce the doping level in an electron blocking layer and take advantage of decreased optical losses.
Źródło:
Optica Applicata; 2020, 50, 2; 311-321
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod laserowych na pasmo 808 nm i 880 nm w czasie długotrwałej pracy
Changing optical and electrical parameters of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm and 880 nm during continuous operation
Autorzy:
Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Krzyżak, K.
Romaniec, M.
Sobczak, G.
Maląg, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192166.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda laserowa
test starzeniowy
degradacja diod
elektroluminescencja
laser diode
degradation of laser diode
life test
electroluminescence
Opis:
Zaprezentowane zostały zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod podczas długotrwałej pracy: zmniejszenie mocy wyjściowej, zwiększenie prądu progowego jak i zmiana długości fali emisji - dla diod na pasmo 880 nm w kierunku fal krótszych oraz dla diod na pasmo 808 nm w kierunku fal dłuższych.
The following changes in optical and electrical parameters for diodes during long-term operation are presented: reduction in the output power, increase in the threshold current and change in the emission wavelength for diodes emitting at 880 nm towards shorter wavelengths and for diodes emitting at 808 nm towards longer wavelengths.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 3, 3; 5-10
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dosimetric characteristics of active solid state detectors in a 60 MeV proton radiotherapy beam
Autorzy:
Sowa, U.
Nowak, T.
Michalec, B.
Mierzwińska, G.
Swakoń, J.
Olko, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146780.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
diamond dosimeter
diode Si
dosimetry
proton beam
Opis:
Several solid state detectors, such as dosimetric diodes, MOSFET detectors or diamond detectors are used for quality control of radiotherapy beams. The goal of this work was to determine dosimetric properties of the PTW diamond detector (DD) and the PTW silicon diode in the 60 MeV therapeutic beam (practical range in water Rp = 29.17 mm) located at the Institute of Nuclear Physics, Polish Academy of Sciences (IFJ PAN, Kraków). A PTW Markus ionization chamber was used as a reference device. The empirical correction factor for diamond detector, kDD(Rresidual), introduced in the Technical Report Series of IAEA, TRS-398 [9] as a function of beam quality, Rresidual, was found to decrease from 1.12 for Rresidual = 1.5 mm to 1.04 for Rresidual = 26 mm. The reproducibility of response of DD and PTW diodes in the proton filed did not exceed 0.11%. Our results show that diamond detectors and dosimetric diodes are useful tools for quality assurance (QA) of therapeutic proton beam, but each type of detectors has specific properties which should be taken into account when choosing particular application.
Źródło:
Nukleonika; 2012, 57, 4; 491-495
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Synthesis of CdSe nanostrucature using thermal evaporation method toward Light-emitting-diode
Autorzy:
Muttalib, Alrabab A. Abdul
Dakhil, Osama A.
Abbas, Khaldoon N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1046545.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
CdSe nanoparticles
Light-emitting-diode (LED)
Thermal evaporation
Opis:
Efficient Light-emitting-diode (LED) constructed of CdSe/Si CdSe nano particles were synthesized through thermal evaporation method using tube furnace and Ar as carrier gas. The synthesized nanoparticles were subjected to structural, optical, morphological, and electrical investigation. The nanoparticles structural properties studied by X-Ray diffraction, confirm the formation of hexagonal structure of CdSe (NPs). The preferred growth direction toward (100) orientation. Crystallite size was calculated by Scherrer’s equation. The surface morphology formation studied by Scanning Electron Microscopy (SEM) and average grain size also has been calculated. FESEM images revel sheets and tetra pods constructed of nano particles with average size 15-40 nm. Ultraviolet-visible (UV-Vis) absorption spectrum showed the absorption peak of CdSe at 350 nm. PL measurements show the emission peaks at 641 and 678 nm. The results of (I-V) measurements show the large ratio between the darkness and light state, which shows the correct behavior of LEDs. The ideality factor was estimated at the optimum conditions and it has been found (1.18).
Źródło:
World Scientific News; 2019, 138, 2; 248-259
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Emission-intensity-enhanced GaN-based LED based on multilayer grating structures
Autorzy:
Li, Xin
Sun, Dejie
Han, Kun
Cao, Lijun
Guo, Shiliang
Li, Zhiquan
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2033893.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
light-emitting diode
surface plasmon
grating
quantum well
Opis:
A novel surface-plasmon-enhanced GaN-LED is proposed to improve the emission efficiency of the traditional LED. The SiO2 film, Ag triangular structure and ITO film were coated on the rectangularly-patterned p-GaN layer sequentially, which can form the quasi-symmetrical waveguide structure to enhance the internal quantum efficiency and the light extraction efficiency. The COMSOL software is used to simulate the LED structure. The radiated powers, absorbed powers and distribution of electric field are obtained and analyzed. The results reveal that emission efficiency of the proposed GaN-LED can be greatly improved.
Źródło:
Optica Applicata; 2021, 51, 4; 529-540
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
How to enhance a room-temperature operation of diode lasers and their arrays
Autorzy:
Sarzała, R. P.
Sokół, A. K.
Kuc, M.
Nakwaski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174004.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
diode laser
thermal management
thermal crosstalk
semiconductor arrays
Opis:
A key problem to be solved during designing productive diode lasers and their lasing arrays is their proper thermal management enabling efficient high-power operation. Strictly speaking, the above demand leads to optimization of their structures to enhance lasing performance for high operation currents. It is well-known that deterioration of laser performance is mostly induced by excessive temperature increases within their volumes. In diode-laser arrays, additionally thermal crosstalk between array emitters should be taken into account. In the present paper, physics of heat-flux generation within the laser-diode volume and its extraction from it is analysed and described with the aid of our self-consistent simulation procedure. Then their thermal optimization is discussed including a proper design of a heat-flux generation within the laser volume, enhancement of its transport towards a laser heat-sink and, additionally in laser arrays, reduction of a thermal crosstalk between individual array emitters. The analysis is carried out using modern nitride edge-emitting ridge-waveguide lasers and their one-dimensional arrays as well as arsenide semiconductor disk lasers as typical examples of modern diode-laser designs. Physical processes responsible for heat-flux generation within these devices and heat-flux extraction from their volumes are analysed and an impact of some construction details on these processes is explained.
Źródło:
Optica Applicata; 2016, 46, 2; 213-226
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ograniczenie prądu zwarciowego przez szeregowe dławiki z układem diodowym
Limitation on short current by serial reactors with circuit of diodes
Autorzy:
Baszyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/320373.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
prąd zwarcia
dławik
dioda
short current
reactor
diode
Opis:
W artykule omówiono dwa sposoby ograniczenia prądu zwarcia: pierwszy, klasyczny, realizowany przez zwiększenie impedancji obwodu (włączenie w szereg z odbiornikiem dławika) oraz drugi, wykorzystujący prosty układ energoelektroniczny. Ponadto w artykule opisano negatywne oddziaływanie obu metod na system energetyczny.
This paper presents two methods of limitation of values of short currents. The first method is achieved by increasing inductance, caused by serial connection of the additional reactor to load. This method is not recommended because of drop of other loads voltage. The second method uses a simple power electronics circuit composed of two diodes and two reactors. A comparison of efficiency and a negative influence of both methods on supply network is discussed.
Źródło:
Elektrotechnika i Elektronika; 2005, 24, 2; 119-124
1640-7202
Pojawia się w:
Elektrotechnika i Elektronika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optymalne sterowanie falownika przy jego pracy na sieć systemu energetycznego
Digital protection against diode failure for brushless exciters
Autorzy:
Garski, W.
Maj, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1369607.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
Tematy:
cyfrowe zabezpieczenia
diody wirujące
digital protection
diode failure
Opis:
This paper presents a newly designed digital protection against diode failure for brushless exciters for synchronous generators and motors. There have been a brief explanation of the advisability of such a type of the protections. There are presented two possible configurations of the proposed protection. At one configuration the protection is an integral part of the excitation control system, at second as an independent separate unit, equipped with a measuring transducers system. The article presents the assumptions and description of the proposed method for detecting diode failure. Presented simulation results confirm correctness of the algorithm adopted for the implementation of protection functions. Presented waveforms were, taken by running protection, working as an integral part of the excitation control system of a synchronous motor. They were obtained during tests with open diode failure in the rectifier circuit. Operation at protection work in real conditions was assessed positively.
Źródło:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2012, 2, 95; 21-24
0239-3646
2084-5618
Pojawia się w:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Influence of the Laser Beam Fluence on Change in Microstructure, Microhardness and Phase Composition of Feb-Fe2B Surface Layers Produced on Vanadis-6 Steel
Autorzy:
Bartkowska, A.
Jurči, P.
Hudáková, M.
Bartkowski, D.
Kusý, M.
Przestacki, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/352487.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
diode laser
boronizing
laser modification
microstructure
Vanadis steel
Opis:
The paper presents the study results of laser modification of Vanadis-6 steel after diffusion boronized. The influence of laser beam fluence on selected properties was investigated. Diffusion boronizing lead to formation the FeB and Fe2B iron borides. After laser modification the layers were consisted of: remelted zone, heat affected zone and substrate. It was found that increase of laser beam fluence have influence on increase in dimensions of laser tracks. In the thicker remelting zone, the primary dendrites and boron eutectics were detected. In the thinner remelting zone the primary carbo-borides and eutectics were observed. In obtained layers the FeB, Fe2B, Fe3B0.7C0.3 and Cr2B phases were detected. Laser remelting process caused obtained the mild microhardness gradient from the surface to the substrate. In the remelted zone was in the range from 1800 HV0.1 to 1000 HV0.1. It was found that the laser beam fluence equal to 12.7 J/mm2 was most favorable. Using this value, microhardness was relatively high and homogeneous.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2018, 63, 2; 791-800
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Laser diode distance measuring interferometer - metrological properties
Autorzy:
Dobosz, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221882.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
diode laser
wavelength stabilization
interferometer
interferometer distance measurement
Opis:
A novel laser diode based length measuring interferometer for scientific and industrial metrology is presented. Wavelength the stabilization system applied in the interferometer is based on the optical wedge interferometer. Main components of the interferometer such as: laser diode stabilization assembly, photodetection system, measuring software, air parameters compensator and base optical assemblies are described. Metrological properties of the device such as resolution, measuring range, repeatability and accuracy are characterized.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2012, 19, 3; 553-564
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 116

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies