Transistor-based temperature measuring device

The schematic diagrams of the temperature measuring device based on transistor structures are presented in the paper. The temperature dependence of collector current without and with linearization of the conversion function is analysed. The linearization method based on compensation current formation is proposed. This allowed to reduce the temperature measurement error up to ± 0.006°C over the temperature ranges 40… 60°C and 60… 80°C and up to 0.08°C over the temperature range 10… 90°C.

W artykule zostały przedstawione schematy miernika temperatury opartego na strukturach tranzystorowych. Została przeanalizowana zależność prądu kolektora od temperatury bez i przy zastosowaniu linearyzacji funkcji przetwarzania. Zaproponowano metodę linearyzacji opartą na formowaniu prądu kompensacyjnego, która pozwoliła zmniejszyć błąd pomiaru temperatury do ± 0,006°C w zakresach temperatury 40… 60°C i 60… 80°C oraz do ±0,08°C w zakresie 10… 90°C.