Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Hall effect sensors performance investigation using three-dimensional simulations

Tytuł:
Hall effect sensors performance investigation using three-dimensional simulations
Autorzy:
Paun, M.-A.
Sallese, J.-M.
Kayal, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398136.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
hallotron
wygładzanie numeryczne
symulacja fizyczna
symulacja 3D
hall effect sensor
numerical offset
numerical drift
3D physical simulations
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 4; 140-145
2080-8755
2353-9607
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Several Hall effect sensors were modeled and evaluated regarding the Hall voltage and sensitivity using 3D physical simulations. For accurate results the numerical offset and its temperature drift were analyzed. The versatility of the simulation allows various Hall sensor implementations. The simulation procedure could guide the designer in choosing the Hall cell optimum fabrication process, shape and dimensions in terms of the performances envisaged to be achieved.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies