Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Measurement and performance evaluation of a silicon on insulator pixel matrix

Tytuł:
Measurement and performance evaluation of a silicon on insulator pixel matrix
Autorzy:
Ntavelis, D.
Harik, L.
Sallese, J.-M.
Kayal, M.
Hatzopoulos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397821.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
technika SOI tranzystora polowego MOS
czujnik obrazu
pompować ładunek
pierwsza kolejność delta-sigma
SOI MOSFET
image sensors
charge pumping
first order delta-sigma
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 3; 299-304
2080-8755
2353-9607
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
A new technique for driving silicon-on-insulator pixel matrixes has been proposed in |1|, which was based on transient charge pumping for evacuating the extra photo-generated charges from the body of the transistor. An 8x8 pixel matrix was designed and fabricated using the above technique. In this paper, the measurement set-up is described and the performance evaluation procedure is given, together with results of its implementation on the fabricated pixel matrix. The results show the applicability of the charge pumping technique and the effective operation of the image sensor.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies