Among the various thin film coating techniques, atomic layer deposition (ALD) has features of good controllability of the
thickness, excellent step-coverage in 3-dimensional object even in the sub-nm thickness range at the relatively low deposition
temperature. In this study, SnO2 thin films were grown by ALD in the variation of substrate temperatures from 150 to 250°C. Even
such a low temperature may influence on the growth kinetics of the ALD reaction and thus the physical characteristics of thin
films, such as crystallinity, film density and optical band gap, etc. We observed the decrease of the growth rate with increasing
substrate temperature, at the same time, the density of the film was decreased with increasing temperature. Steric hindrance effect
of the precursor molecule was attributed to the inverse relationship of the growth temperature and growth rate as well as the film
density. Optical indirect band gap energy (~3.6 eV) of the ALD-grown amorphous SnO2 films grown at 150°C was similar with
that of the literature value, while slightly lower band gap energy (~3.4 eV) was acquired at the films grown at higher temperature.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00