New design method is presented for distributed amplifiers (DA). It is shown that by proper design of the applied transmission lines (TL) between the active devices the image impedance and the cut-off frequency (COF) of the input or output line of the DA can be independently tuned. As a consequence, the phase mismatch between the lines of the DA can be adjusted independently from the termination conditions and from the capacitances of the applied transistor and thus flat gain characteristic can be achieved. The method is well applicable for nearly unilateral devices like HBTs [1] and yields the highest gain-bandwidth product.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00