The article describes the results of a research on the surface morphology and optical properties of Al₂O₃, ZnO, and TiO₂ thin films deposited by atomic layer deposition (ALD) for applications in silicon solar cells. The surface topography and elemental composition were characterised using a scanning electron microscope, and thickness was determined using an optical reflectometer. The samples were structurally examined using a Raman spectrometer. The structural variant was identified: for Al₂O₃ it is sapphire, for TiO₂ it is anatase, and for ZnO it is wurtzite. Possibilities of minimising light reflection using single and double thin film systems below 5% were presented. For the first time, the effectiveness of these thin films on the current-voltage characteristics and electrical parameters of manufactured silicon solar cells was examined and compared. The solar cell with the highest efficiency of converting solar radiation into electricity was obtained for Al₂O₃/TiO₂ and the efficiency of such a photovoltaic device was 18.74%.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00